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参数资料
| 型号： | MT46V32M8P-75ELIT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.40 INCH, LEAD FREE,PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 78/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页当前第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页
PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
256Mb_DDR_x4x8x16_D2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
8
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Functional Block Diagrams
The 256Mb DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory
containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a 4-bank DRAM.
Figure 3:
64 Meg x 4 Functional Block Diagram
13
RAS#
CAS#
Row-
address
MUX
CK
CS#
WE#
CK#
11
A0–A12,
BA0, BA1
CKE
13
15
1024
(x8)
8192
15
13
10
1
2
4
1
8
2
8
CK
out
DQS
CK
in
MUX
4
8
DQ0–DQ3
DQS
DM
1
WRITE
FIFO
and
drivers
Control
logic
Mode registers
Command
decode
Refresh
counter
Address
register
Bank
control
logic
Column-
address
counter/
latch
Column
decoder
I/O gating
DM mask logic
Bank 0
row-
address
latch
and
decoder
Bank 0
memory
array
(8,192 x 1,024 x 8)
Sense amplifiers
Bank 1
Bank 2
Bank 3
READ
latch
Data
CK
DLL
Drivers
DQS
generator
Input
registers
Rcvrs
Data
Mask
Column 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M4CC-3:B | 128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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