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参数资料
| 型号： | MT46V32M8P-75ELIT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.40 INCH, LEAD FREE,PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 8/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
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PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
256Mb_DDR_x4x8x16_D2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
16
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Package Dimensions
Figure 10:
60-Ball FBGA (8mm x 12.5mm)1
Notes:
1. Package only available in Die Revision K.
2. All dimensions are in millimeters.
3. Topside part marking decoder can be found on Micron’s Web site.
Ball A1 ID
1.20 MAX
8 ±0.15
Ball A1 ID
60X 0.45
Solder ball material:
eutectic or SAC305.
Dimensions apply
to solder balls post-
reflow on 0.33
NSMD ball pads.
1 TYP
11 CTR
12.5 ±0.15
0.8 ±0.1
0.12 A
A
Seating
plane
6.4 CTR
0.8 TYP
0.25 MIN
9 8 7
3 2 1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M4CC-3:B | 128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| MT47H32M16HR-37EAT:G | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| MT47H64M16BT-3ELIT:A | 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA92 |
| MT47H64M8B6-3ELAT:D | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H32M16LFCJ-8 | 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V32M8T66ADC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8 DDR SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 2.5V - Trays |
| MT46V32M8TG-5B/G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 32Mx8 2.6V 66-Pin TSOP Tray |
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