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参数资料
| 型号： | MT46V32M8P-75ELIT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.40 INCH, LEAD FREE,PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 80/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页当前第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页
PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
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2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Operations
Figure 44:
WRITE-to-READ – Odd Number of Data, Interrupting
Notes:
1. DI b = data-in for column b; DO n = data-out for column n.
2. An interrupted burst of 4 is shown; one data element is written.
3. tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last desired data-in pair (not
the last two data elements).
4. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
5. DQS is required at T1n, T2, and T2n (nominal case) to register DM.
6. If the burst of 8 is used, DM and DQS are required at T3–T3n because the READ command
will not mask these data elements.
tDQSS (NOM)
CK
CK#
Command
WRITE
NOP
Address
Bank a,
Col b
Bank a,
Col n
READ
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T1n
T6
T6n
T5n
tWTR
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
tDQSS (MIN)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
tDQSS (MAX)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
Don’t Care
Transitioning Data
tDQSS
T3n
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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