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参数资料
| 型号： | NOIH2SM1000S-HHC |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 31/67页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPACE IMAGE SENSOR 84-JLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HAS2 |
| 象素大小： | 18µm x 18µm |
| 有源象素阵列： | 1024H x 1024V |
| 电源电压： | 3.3V |
| 类型： | CMOS 成像 |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
| 其它名称： | CYIH1SM1000AA-HHCS CYIH1SM1000AA-HHCS-ND |
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NOIH2SM1000A
Dark Current vs. Temperature Model
1000000
100000
10000
0.1082x
y = 16.336e
R = 0.9995
2
1000
100
10
1
Theoretical Curve
-60
?-40
?-20
0
20
? 40
60
80
?100
0.1
T emp er atu r e [d eg C]
Figure 15. Temperature Dependence of the Dark Current (in e/s) Measured on a Sample
Following model is consistent with what has been
measured for typical values:
with
DC the dark current in e/s
DC 0 the dark current at 30 ° C and 0 krad = 300 e/s
TID the total ionizing dose (in krad(Si))
T the temperature (in ° C)
a DC the slope of the curve at 30 ° C = 325 e/s/krad(Si)
D TDC,d1 = 5.8 ° C and D TDC,d2 = 7.1 ° C
DCNU0 the dark current non-uniformity at 30 ° C and
0 krad = 230 e/s
a DCNU the slope of the curve at 30 ° C = 33.6 e/s/krad(Si)
D TDCNU,d1 = 9.5 ° C and D TDCNU,d2 = 9.5 ° C
T0 = 30 ° C
Following model is consistent with what has been
measured for worst case values:
with
DC the dark current in e/s
DC 0 the dark current at 30 ° C and 0 krad = 550 e/s
TID the total ionizing dose (in krad(Si))
T the temperature (in ° C)
a DC the slope of the curve at 30 ° C = 480 e/s/krad(Si)
D TDC,d1,L = 6.6 ° C and D TDC,d2,L = 8 ° C for T < T0
D TDC,d1,H = 5 ° C and D TDC,d2,H = 6.5 ° C for T > T0
DCNU0 the dark current non-uniformity at 30 ° C and
0 krad = 400 e/s
a DCNU the slope of the curve at 30 ° C = 45 e/s/krad(Si)
D TDCNU,d1,L = 10.5 ° C and D TDCNU,d2,L = 10.5 ° C
for T < T0
D TDCNU,d1,H = 8.5 ° C and D TDCNU,d2,H = 8.5 ° C for
T > T0
T0 = 30 ° C
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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