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参数资料
| 型号： | NOIH2SM1000S-HHC |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 65/67页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPACE IMAGE SENSOR 84-JLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HAS2 |
| 象素大小： | 18µm x 18µm |
| 有源象素阵列： | 1024H x 1024V |
| 电源电压： | 3.3V |
| 类型： | CMOS 成像 |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
| 其它名称： | CYIH1SM1000AA-HHCS CYIH1SM1000AA-HHCS-ND |
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NOIH2SM1000A
Question:
I am trying to estimate the pulse height distribution (PHD)
from electrons and protons traversing the focal plane array.
The PHD is the probability of seeing a pulse of a given size
in a single pixel from an electron or proton coming from a
random direction and striking in a random location. When
an electron traverses a unit cell it excites electrons. The total
amount of charge is proportional to the length of the path (the
chord length) through the unit cell. Charge that is created
outside the collection region of the detector has little effect.
The charge in the photodiode is collected and looks similar
to a signal. To calculate the chord length distribution through
the photodiode I need its dimensions. I have been assuming
that it is 7.5 microns on a side, living within the 15 micron
unit cell. What is the thickness of the collection region. It can
be quite thick, but I have been assuming a fairly thin
geometry. The production of streaks by protons is sensitive
to the thickness of the photodiode as well (thicker means
longer streaks). So I think the answer to your question is that
I need all three dimensions of the photodiodes in the array.
Are the unit cells repeated across the array or are they
arranged with mirror images next to each other, which
makes the light sensitive regions cluster in groups of two or
four.
Answer:
http://onsemi.com
65
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NOII5SM1300A-QDC | SENSOR IMAGE MONO CMOS 84-LCC |
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| NOIL1SE3000A-GDC | IC IMAGE SENSOR 3MP 369-PGA |
| NOIL1SM0300A-WWC | IC IMAGE SENSOR LUPA300 48LLC |
| NOIL2SC1300A-GDC | IC IMAGE SENSOR LUPA1300 168PGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NOII4SM1300A-QDC | 功能描述:SENSOR IMAGE MONO CMOS 84-LCC RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 图像，相机 系列:- 标准包装:480 系列:- 象素大小:6.7µm x 6.7µm 有源象素阵列:768H x 488V 每秒帧数:52 电源电压:3.3V 类型:CMOS 成像 封装/外壳:48-QFP 供应商设备封装:48-QFP 包装:托盘 请注意:* 配用:4H2105-ND - HEADBOARD FOR KAC-004014H2104-ND - KIT EVAL FOR KAC-00401 其它名称:4H20954H2095-NDKAC-00401-CBC-LB-A0 |
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| NOII4SM6600A-QDC | 功能描述:图像传感器和彩色传感器 IBIS4-6600 MONO LLC68 RoHS:否 制造商:Avago Technologies 类型:Color Sensors 工作电源电压:2.5 V 封装 / 箱体: 图象大小: 颜色读出:Color 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 25 C 封装:Reel |
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| NOII5SC1300A-QDC | 功能描述:SENSOR IMAGE COLOR CMOS 84-LCC RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 图像，相机 系列:- 标准包装:480 系列:- 象素大小:6.7µm x 6.7µm 有源象素阵列:768H x 488V 每秒帧数:52 电源电压:3.3V 类型:CMOS 成像 封装/外壳:48-QFP 供应商设备封装:48-QFP 包装:托盘 请注意:* 配用:4H2105-ND - HEADBOARD FOR KAC-004014H2104-ND - KIT EVAL FOR KAC-00401 其它名称:4H20954H2095-NDKAC-00401-CBC-LB-A0 |
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