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参数资料
| 型号： | NOIH2SM1000S-HHC |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 47/67页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPACE IMAGE SENSOR 84-JLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HAS2 |
| 象素大小： | 18µm x 18µm |
| 有源象素阵列： | 1024H x 1024V |
| 电源电压： | 3.3V |
| 类型： | CMOS 成像 |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
| 其它名称： | CYIH1SM1000AA-HHCS CYIH1SM1000AA-HHCS-ND |
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NOIH2SM1000A
Destructive Readout Timing Diagram
In this mode the unit of timing is conveniently chosen to
equal the time needed to read out a line of pixels. Hence, the
exposure time tEXP can be expressed as an equivalent
number of lines.
Table 33. THREADS OF OPERATION FOR DESTRUCTIVE READOUT WITH DOUBLE SAMPLING
Comment
init
expose
read
YRD - Read Side
Load registers Y1 and X1 with the window start coordinates
Initialize YRD with Y1
.do nothing
For YRD = Y1 to Y2 loop
.select line YRD
.operate column amplifiers for DS/DR
.read pixels X1 to X2
.advance YRD
YRST - Reset Side
Initialize YRST with Y1
For YRST = Y1 to Y1+tEXP loop
.select line YRST
.reset line YRST
.wait for one line time
.advance YRST one position
end loop
.select line YRST
.reset line YRST
.advance YRST
end loop
Figure 34. DS/DR Sequence: Exposure is Initiated with Running YRST over the Array, Resetting Lines.
After tEXP YRD starts running over the array too, reading and then resetting lines
t 15
BLANK?
t 2 ?
t 3 ?
t 2
t 3
PRECHARGE?
t 4 ? t 6 ?
t 8
t 4
t 11
SEL?
RESET?
YRST_YRDn ?
S?
R?
CAL?
t 1 ?
t 16 ?
t 5 ?
t 9
t 7
t 10
t 12
t 13
t 13 ?
t 7 ?
t 14 ?
t 16 ?
Double Sampling of line indicated by YRD
Optional reset of YRST
for electronic shutter
Pixel readout
Figure 35. Destructive Readout Timing Diagram
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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