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参数资料
| 型号： | OR3T307S240-DB |
| 厂商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | FPGA |
| 英文描述： | FPGA, 196 CLBS, 48000 GATES, PQFP240 |
| 封装： | PLASTIC, SQFP-240 |
| 文件页数： | 79/203页 |
| 文件大小： | 1368K |
| 代理商： | OR3T307S240-DB |
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Lattice Semiconductor
17
Data Sheet
November 2006
ORCA Series 3C and 3T FPGAs
Programmable Logic Cells (continued)
Memory Mode
The Series 3 PFU can be used to implement a 32 x 4 (128-bit) synchronous, dual-port random access memory
(RAM). A block diagram of a PFU in memory mode is shown in Figure 9. This RAM can also be congured to work
as a single-port memory and because initial values can be loaded into the RAM during conguration, it can also be
used as a read-only memory (ROM).
Figure 9. Memory Mode
The PFU memory mode uses all LUTs and latches/FFs including the ninth FF in its implementation as shown in
Figure 9. The read address is input at the KZ[3:0] and F5[A:D] inputs where KZ[0] is the LSB and F5[A:D] is the
MSB, and the write address is input on CIN (MSB) and DIN[7, 5, 3, 1], with DIN[1] being the LSB. Write data is
input on DIN[6, 4, 2, 0], where DIN[6] is the MSB, and read data is available combinatorially on F[6, 4, 2, 0] and
registered on Q[6, 4, 2, 0] with F[6] and Q[6] being the MSB. The write enable signal is input at ASWE, and two
write port enables are input on CE and LSR. The PFU CLK signal is used to synchronously write the data. The
polarities of the clock, write enable, and port enables are all programmable. Write-port enables may be disabled if
they are not to be used.
5-5969(F)
Q6
Q4
Q2
Q0
D
5
Q
CIN(WA4)
KZ[3:0]
4
F5[A:D]
D Q
DIN7(WA3)
D Q
DIN5(WA2)
D Q
DIN3(WA1)
D Q
DIN1(WA0)
D Q
DIN6(WD3)
D Q
DIN4(WD2)
D Q
DIN2(WD1)
D Q
DIN0(WD0)
D Q
ASWE(WREN)
EN
S/R
CE(WPE1)
LSR(WPE2)
CLK
4
WRITE
READ
4
F6
F4
F2
F0
D Q
WRITE
RAM CLOCK
ADDRESS[4:0]
DATA[3:0]
ENABLE
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