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参数资料
| 型号： | OR3T307S240-DB |
| 厂商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | FPGA |
| 英文描述： | FPGA, 196 CLBS, 48000 GATES, PQFP240 |
| 封装： | PLASTIC, SQFP-240 |
| 文件页数： | 90/203页 |
| 文件大小： | 1368K |
| 代理商： | OR3T307S240-DB |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页当前第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页
18
Lattice Semiconductor
Data Sheet
November 2006
ORCA Series 3C and 3T FPGAs
Programmable Logic Cells (continued)
Data is written to the write data, write address, and
write enable registers on the active edge of the clock,
but data is not written into the RAM until the next clock
edge one-half cycle later. The read port is actually
asynchronous, providing the user with read data very
quickly after setting the read address, but timing is also
provided so that the read port may be treated as fully
synchronous for write then read applications. If the
read and write address lines are tied together (main-
taining MSB to MSB, etc.), then the dual-port RAM
operates as a synchronous single-port RAM. If the
write enable is disabled, and an initial memory contents
is provided at conguration time, the memory acts as a
ROM (the write data and write address ports and write
port enables are not used).
Wider memories can be created by operating two or
more memory mode PFUs in parallel, all with the same
address and control signals, but each with a different
nibble of data. To increase memory word depth above
32, two or more PLCs can be used. Figure 10 shows a
128 x 8 dual-port RAM that is implemented in eight
PLCs. This gure demonstrates data path width expan-
sion by placing two memories in parallel to achieve an
8-bit data path. Depth expansion is applied to achieve
128 words deep using the 32-word deep PFU memo-
ries. In addition to the PFU in each PLC, the SLIC
(described in the next section) in each PLC is used for
read address decodes and 3-state drivers. The 128 x 8
RAM shown could be made to operate as a single-port
RAM by tying (bit-for-bit) the read and write addresses.
To achieve depth expansion, one or two of the write
address bits (generally the MSBs) are routed to the
write port enables as in Figure 10. For 2 bits, the bits
select which 32-word bank of RAM of the four available
from a decode of two WPE inputs is to be written. Simi-
larly, 2 bits of the read address are decoded in the
SLIC and are used to control the 3-state buffers
through which the read data passes. The write data bus
is common, with separate nibbles for width expansion,
across all PLCs, and the read data bus is common
(again, with separate nibbles) to all PLCs at the output
of the 3-state buffers.
Figure 10 also shows a new optional capability to pro-
vide a read enable for RAMs/ROMs in Series 3 using
the SLIC cell. The read enable will 3-state the read
data bus when inactive, allowing the write data and
read data buses to be tied together if desired.
Figure 10. Memory Mode Expansion Example—128 x 8 RAM
5-5749(F)
RD[7:0]
WE
WA[6:0]
RA[6:0]
CLK
WA
RA
WPE0
WPE1
WE
WD[7:4]
5
4
PLC
8
WD[7:0]
8
7
WA
RA
WPE0
WPE1
WE
RD[3:0]
WD[3:0]
5
4
PLC
RD[7:4]
WA
RA
WPE0
WPE1
WE
WD[7:4]
5
4
PLC
WA
RA
WPE0
WPE1
WE
RD[3:0]
WD[3:0]
5
4
PLC
RD[7:4]
RE
4
PFU
SLIC
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