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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 12/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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2
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
PIN CONFIGURATION
(TOP VIEW)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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38
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36
35
34
33
32
31
30
29
28
400
mil
x
875mil
54pin
0.8mm
pitch
TSOP(II)
Vdd
DQ0
VddQ
NC
DQ1
VssQ
NC
DQ2
VddQ
NC
DQ3
VssQ
NC
Vdd
NC
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
Vdd
Vss
DQ15
VssQ
DQ14
DQ13
VddQ
DQ12
DQ11
VssQ
DQ10
DQ9
VddQ
DQ8
Vss
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
DQ7
VssQ
NC
DQ6
VddQ
NC
DQ5
VssQ
NC
DQ4
VddQ
NC
Vss
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
NC
VssQ
NC
DQ3
VddQ
NC
VssQ
NC
DQ2
VddQ
NC
Vss
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
Vdd
DQ0
VddQ
DQ1
DQ2
VssQ
DQ3
DQ4
VddQ
DQ5
DQ6
VssQ
DQ7
Vdd
LDQM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
Vdd
NC
VddQ
NC
DQ0
VssQ
NC
VddQ
NC
DQ1
VssQ
NC
Vdd
NC
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
Vdd
CLK
: Master Clock
CKE
: Clock Enable
/CS
: Chip Select
/RAS
: Row Address Strobe
/CAS
: Column Address Strobe
/WE
: Write Enable
DQ0-15
: Data I/O
DQM, DQMU/L : Output Disable / Write Mask
A0-12
: Address Input
BA0,1
: Bank Address Input
Vdd
: Power Supply
VddQ
: Power Supply for Output
Vss
: Ground
VssQ
: Ground for Output
x4
x8
x16
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