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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 34/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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4
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
A
64-pin sTSOP Package Outline
33
10.65
+
0.2
9.05
+
0.1
*2
64
32
1
Note)
1. DIMENSIONS "*1" AND "*2"
DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
2. DIMENSION "*3" DOES NOT
INCLUDE TRIM OFFSET.
0.125
+0.05
-0.02
1.2 MAX
Detail A (NTS)
0 - 10
0.125+0.075
0.5
+
0.1
(1)
0.8
0.6
+
0.15
0.25
Detail B (NTS)
0.35
0.55 MAX
13.1+0.1
*1
0.4 NOM
0.1
*3
0.16
+0.1
-0.05
B
0.08 M
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| M2V56S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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