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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 8/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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16
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
A2
A1
A0
Initial Address BL
Sequential
Interleaved
Column Addressing
0
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8
4
2
Command
Address
CLK
DQ
/CAS Latency
Burst Length
Burst Type
CL= 3
BL= 4
Read
Y
Write
Y
Q0
Q1
Q2
Q3
D0
D1
D2
D3
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PDF描述 |
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| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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