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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 37/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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42
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CLK
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
DQM
A0-9,11
A10
A12
BA0,1
DQ
Write / Read Terminated by Precharge [CL=2,BL=4]
ACT#0 WRITE#0
PRE#0
Terminate
tRP
tRCD
X
Y
X
Y
X
ACT#0
READ#0
tRCD
tRC
tRAS
tRP
tWR
X
0
D0
Q0
PRE#0
Terminate
ACT#0
Italic parameter shows minimum case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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