- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录180126 > M2V56S30ATP-6 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 26/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
32
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
AVERAGE SUPPLY CURRENT from Vdd
(Ta=0 ~ 70'C, Vdd = VddQ = 3.3+0.3V, Vss = VssQ = 0V, Output Open, unless otherwise noted)
Notes
1. addresses are changed 3 times during tRC, only 1 bank is active & all other banks are idle
2. all banks are idle
3. input signals are changed one time during 3xtCLK
4. input signals are stable
5. all banks are active
6. Low Power Version(-5L/-6L/-7L)
7. Ultra Low Power Version(-5UL/-6UL/-7UL)
AC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS
(Ta=0 ~ 70'C, Vdd = VddQ = 3.3 + 0.3V, Vss = VssQ = 0V, unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Limits
Min.
Max.
Unit
VOH(DC)
VOL(DC)
IOZ
IL
High-Level Output Voltage (DC)
Low-Level Output Voltage (DC)
Off-state Output Current
Input Current
IOH=-2mA
IOL= 2mA
Q floating Vo=0 ~ VddQ
VIH=0 ~ VddQ+0.3V, other input pins=0V
2.4
0.4
V
uA
-10
10
3
150
110
90
80
10
3
12
2
90
85
80
-6
mA
-5 / -6 / -7
CKE<0.2v
Self-Refresh Current
Icc6
100
80
100
95
85
80
x16
x8
x4
x16
x8
x4
Organi-
zation
4,5
3,5
2,4
2,3
5
2,6,7
1
mA
140
70
15
10
75
170
20
90
tCLK=min, tRFC=min
Auto-Refresh Current
Icc5
tCLK=min, BL=4, gapless
data
Burst Operating
Current
Icc4
tCLK=L, CKE>VIHmin
tCLK=min, CKE>VIHmin,
/CS> VIHmin
Active Standby
Current
in Normal Mode
Icc3NS
Icc3N
tCLK=L, CKE>VIHmin
tCLK=min, CKE>VIHmin,
/CS>VIHmin
Idle Standby Current
in Normal Mode
Icc2NS
Icc2N
tCLK=L,
CKE<VILmax
tCLK=min,
CKE<VILmax
Icc2PS
Icc2P
Idle Standby Current
in Power Down Mode
tCLK=min, tRC=min, BL=1
Operating Current
(1bank)
Icc1
Note
Unit
-7
-5
Limits(max)
Test Conditions
Parameter
Symbol
2
mA
-5L / -6L / -7L
6
1
mA
-5UL / -6UL / -7UL
7
-5L / -6L / -7L
-5UL / -6UL / -7UL
-5 / -6 / -7
mA
1
-5L / -6L / -7L
-5UL / -6UL / -7UL
-5 / -6 / -7
2
2,6,7
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30-6000206 | 2 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6000406 | 4 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6001106 | 11 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6011006 | 20 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6011506 | 30 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。