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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 18/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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25
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
[ Write with Auto-Precharge Interrupted by Write / Read to Different Bank ]
Burst write with auto-precharge can be interrupted by write or read to different bank. Next ACT
command can be issued after (BL+tWR-1+tRP) from the WRITEA. Auto-precharge interruption by a
command to the same bank is inhibited.
WRITEA Interrupted by WRITE to Different Bank (BL=4)
Db0
Db1
Db2
Db3
Write
Ya
1
00
Da0
Da1
Write
Yb
0
10
ACT
Xa
00
interrupted
auto-precharge
activate
WRITEA Interrupted by READ to Different Bank (CL=2, BL=4)
Write
Ya
1
00
Da0
Da1
Read
Yb
0
10
ACT
Xa
00
interrupted
auto-precharge
activate
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
BL
tWR
tRP
BL
tWR
tRP
precharge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30-6000206 | 2 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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| M2V56S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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