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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 25/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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31
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Ta=0 ~ 70'C, unless otherwise noted)
CAPACITANCE
(Ta=0 ~ 70'C, Vdd = VddQ = 3.3+0.3V, Vss = VssQ = 0V, unless otherwise noted)
'C
-65~ 150
Storage Temperature
Tstg
'C
0~ 70
Operating Temperature
Topr
mW
1000
Ta=25'C
Power Dissipation
Pd
mA
50
Output Current
IO
V
-0.5 ~ Vdd+0.5
with respect to VssQ
Output Voltage
VO
V
-0.5 ~ Vdd+0.5
with respect to Vss
Input Voltage
VI
V
-0.5 ~ 4.6
with respect to VssQ
Supply Voltage for Output
VddQ
V
-0.5 ~ 4.6
with respect to Vss
Supply Voltage
Vdd
Unit
Ratings
Conditions
Parameter
Symbol
V
0.8
-0.3
Low-Level Input Voltage all inputs
VIL
V
Vdd+0.3
2.0
High-Level Input Voltage all inputs
VIH
V
0
Supply Voltage for Output
VssQ
V
3.6
3.3
3.0
Supply Voltage for Output
VddQ
V
0
Supply Voltage
Vss
V
3.6
3.3
3.0
Supply Voltage
Vdd
Max.
Typ.
Min.
Unit
Limits
Parameter
Symbol
pF
6.5
4.0
CI/O
pF
3.5
2.5
Input Capacitance,I/O pin
Input Capacitance,CLK pin
CI(K)
pF
3.8
2.5
Input Capacitance,control pin
CI(C)
pF
3.8
2.5
VI=1.4V
f=1MHz
VI=25mVrms
Input Capacitance,address pin
CI(A)
Max.
Min.
Unit
Limits
Test Condition
Parameter
Symbol
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PDF描述 |
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