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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 28/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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34
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Ta=0 ~ 70'C, Vdd = VddQ = 3.3+0.3V, Vss = VssQ = 0V, unless otherwise noted)
Output Load Condition
Note. If tr (CLK rising time) is > 1ns, (tr/2 - 0.5ns) should be added to the parameters.
50pF
Vout
tOLZ
tAC
tOH
tOHZ
CLK
DQ
1.4V
ns
6
3
5.4
3
5.4
3
CL=3
CL=2
5.4
3
0
3
5.4
-5
ns
6
3
6
3
0
3
6
5.4
6
CL=3
CL=2
CL=3
CL=2
Delay Time, Output High
impedance from CLK
Delay Time, Output Low
impedance from CLK
Output Hold Time from CLK
Access Time from CLK
tOHZ
tOLZ
tOH
tAC
Max
Min.
Max
Min.
Max
Min.
-7
-6
Unit
Limits
Parameter
Symbol
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PDF描述 |
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参数描述 |
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