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参数资料
| 型号： | M2V56S30ATP-6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 45/51页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-6 |
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5
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
Type Designation Code
This rule is applied to only Synchronous DRAM family.
M 2 V 56 S 4 0 A KT – 5 L
BLOCK DIAGRAM
/CS /RAS /CAS /WE DQMU/L
Memory
Array
Bank #0
DQ0-3 (x4) , 0-7 (x8) , 0 - 15 (x16)
Memory
Array
Bank #1
Memory
Array
Bank #2
Memory
Array
Bank #3
Mode Register
Control Circuitry
Address Buffer
A0-12
BA0,1
Clock Buffer
CLK
CKE
Control Signal Buffer
I/O Buffer
Power Grade L: Low power, Blank: standard
Speed Grade 5: 133MHz@CL3, 133MHz@CL2
6: 133MHz@CL3, 100MHz@CL2
7: 100MHz@CL2
Package Type TP: TSOP(II) , KT: sTSOP
Process Generation A:2nd. gen.
Function Reserved for Future Use
Organization 2n 2: x4, 3: x8, 4: x16
SDRAM Data Rate Type S:Single Data Rate
Density 56: 256M bits
Interface V:LVTTL
Memory Style (DRAM)
Mitsubishi Main Designation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| M30-6011006 | 20 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M2V56S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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