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参数资料
| 型号： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件页数： | 16/58页 |
| 文件大小： | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
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- 17 -
datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
13. AC & DC Input Measurement Levels
13.1 AC & DC Logic Input Levels for Single-ended Signals
[ Table 2 ] Single Ended AC and DC input levels for Command and Address
NOTE :
1. For input only pins except RESET, VREF = VREFCA(DC)
2. See "Overshoot and Undershoot specifications" section.
3. The AC peak noise on VREF may not allow VREF to deviate from VREF(DC) by more than ± 1% VDD (for reference : approx. ± 15mV)
4. For reference : approx. VDD/2 ± 15mV
[ Table 3 ] Single Ended AC and DC input levels for DQ and DM
NOTE :
1. For input only pins except RESET, VREF = VREFDQ(DC)
2. See "Overshoot and Undershoot specifications" section.
3. The AC peak noise on VREF may not allow VREF to deviate from VREF(DC) by more than ± 1% VDD (for reference : approx. ± 15mV)
4. For reference : approx. VDD/2 ± 15mV
5. Single ended swing requirement for DQS - DQS is 350mV (peak to peak). Differential swing requirement for DQS - DQS is 700mV (peak to peak).
Symbol
Parameter
DDR3-800/1066
DDR3-1333/1600
Unit
NOTE
Min.
Max.
Min.
Max.
VIH.CA(DC)
DC input logic high
VREF + 100
VDD
VREF + 100
VDD
mV
1
VIL.CA(DC)
DC input logic low
VSS
VREF - 100
VSS
VREF - 100
mV
1
VIH.CA(AC)
AC input logic high
VREF + 175
-
VREF + 175
-mV
1,2
VIL.CA(AC)
AC input logic low
-
VREF - 175
-
VREF - 175
mV
1,2
VIH.CA(AC150) AC input logic high
VREF+150
-
VREF+150
-mV
1,2
VIL.CA(AC150) AC input logic low
-
VREF-150
-
VREF-150
mV
1,2
VREFCA(DC)
Reference Voltage for ADD,
CMD inputs
0.49*VDD
0.51*VDD
0.49*VDD
0.51*VDD
V3,4
Symbol
Parameter
DDR3-800/1066
DDR3-1333/1600
Unit
NOTE
Min.
Max.
Min.
Max.
VIH.DQ(DC100) DC input logic high
VREF + 100
VDD
VREF + 100
VDD
mV
1
VIL.DQ(DC100) DC input logic low
VSS
VREF - 100
VSS
VREF - 100
mV
1
VIH.DQ(AC175) AC input logic high
VREF + 175
-
VREF + 150
-
mV
1,2,5
VIL.DQ(AC175) AC input logic low
-
VREF - 175
-
VREF - 150
mV
1,2,5
VIH.DQ(AC150) AC input logic high
VREF + 150
NOTE 2
-
mV
1,2,5
VIL.DQ(AC150) AC input logic low
NOTE 2
VREF - 150
--
mV
1,2,5
VREFDQ(DC)
I/O Reference Voltage(DQ)
0.49*VDD
0.51*VDD
0.49*VDD
0.51*VDD
V3,4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| M3950/1529A012 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M83731/2327D110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, MOMENTARY, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M393B5273CH0-CK004 | 制造商:Samsung 功能描述:4GBYTE REGISTERED DIMM, DDR3-1600 - Trays |
| M393B5273DH-CH9E8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GB 2RX8 PC3-8500R-07-00-B0-D1 - Trays |
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| M393B5670EH1-CH904 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GBYTE REGISTERED DIMM,DDR3-1333 - Trays |
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