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参数资料
| 型号： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件页数： | 7/58页 |
| 文件大小： | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
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datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
- 15 -
VSS
VDD
D0 - D35
VREFCA
VDDSPD
Serial PD
VTT
VREFDQ
D0 - D35
A0
Serial PD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
DQS14
VSS
CB[47:44]
DQS
DM
DQ[3:0]
D14
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
RS
0B
RR
AS
B
RC
AS
B
RW
E
B
PC
K0
B
PC
K0
B
RC
KE
0B
RODT0
B
A[N
:0
]B
/BA
[N:0]
B
D32
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
RS
1B
PC
K1
B
PC
K1
B
RC
KE
1B
RODT1
B
DQS
DM
DQ[3:0]
DQS4
VSS
DQ[35:32]
DQS
DM
DQ[3:0]
D4
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N
:0]/
BA[
N:
0]
D22
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A
[N
:0]/
BA[
N:
0]
DQS
DM
DQ[3:0]
DQS16
VSS
DQ[63:60]
DQS
DM
DQ[3:0]
D16
CS RAS CAS WE CK
CK
CKE OD
T
A[
N:
0]
/B
A[
N:
0
]
D34
CS RAS CAS WE CK CK
CKE
OD
T
A[
N:
0]
/B
A[
N:
0
]
DQS
DM
DQ[3:0]
DQS10
VSS
DQ[59:56]
DQS
DM
DQ[3:0]
D7
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
D25
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
DQS
DM
DQ[3:0]
Vtt
DQS13
VSS
CB[39:36]
DQS
DM
DQ[3:0]
D13
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
RS
0B
RR
AS
B
RC
AS
B
RW
E
B
PC
K0
B
PC
K0
B
RC
KE
0B
RODT0
B
A[N
:0
]B
/BA
[N:0]
B
D31
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
RS
1B
PC
K1
B
PC
K1
B
RC
KE
1B
RODT1
B
DQS
DM
DQ[3:0]
DQS5
VSS
DQ[43:40]
DQS
DM
DQ[3:0]
D5
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A
[N
:0]/
BA[
N:
0]
D23
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A
[N
:0]/
BA[
N:
0]
DQS
DM
DQ[3:0]
DQS15
VSS
DQ[55:52]
DQS
DM
DQ[3:0]
D15
CS RAS CAS WE CK CK
CKE
OD
T
A[
N:
0]
/B
A[
N:
0
]
D33
CS RAS CAS WE CK CK
CKE
OD
T
A[
N:
0]
/B
A[
N:
0
]
DQS
DM
DQ[3:0]
DQS6
VSS
DQ[51:48]
DQS
DM
DQ[3:0]
D6
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
D24
CS RA
S
CA
S
WE CK CK
CK
E
ODT A[N
:0
]/B
A[N
:0
]
DQS
DM
DQ[3:0]
Vtt
Option 1
A0
Thermal sensor
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
EVENT
WP
Serial PD w/ stand alone Thermal sensor
A0
Integrated Thermal sensor in SPD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
EVENT
Option 2
Serial PD w/ integrated Thermal sensor
A0
Serial PD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
Option 3
Serial PD, no Thermal sensor
WP
NOTE:
1. DQ-to-I/O wiring may be changed within a nibble.
2. See wiring diagrams for resistor values.
3. ZQ pins of each SDRAM are connected to individual RZQ resistors (240 +/-1%)ohms...
1:2
R
E
G
I
S
T
E
R
BA[N:0]
A[N:0]
RAS
CAS
WE
CKE0
RESET
RST : SDRAMs D[35:0]
PAR_IN
S0
RS0A -> CS0 : SDRAMs D[3:0], D[12:0], D17
ERR_OUT
RST
CK0
ODT0
CK0
RS0B -> CS0 : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RS1A -> CS1 : SDRAMs D[21:18], D[30:26], D35
RS1B -> CS1 : SDRAMs D[25:22], D[34:31]
RBA[N:0]A -> BA[N:0]: SDRAMs D[3:0], D[12:8], D[21:17], D[30:26], D35
RBA[N:0]B -> BA[N:0]: SDRAMs D[7:4], D[16:13], D[25:22], D[34:31]
RA[N:0]A -> A[N:0]: SDRAMs D[3:0], D[12:8], D[21:17], D[30:26], D35
RA[N:0]B -> A[N:0]: SDRAMs D[7:4], D[16:13], D[25:22], D[34:31]
RRASA -> RAS: SDRAMs D[3:0], D[12:8], D[21:17], D[30:26], D35
RRASB -> RAS: SDRAMs D[7:4], D[16:13], D[25:22], D[34:31]
RCASA -> CAS: SDRAMs D[4:0], D8, D[13:9], D[22:18], D[31:27]
RCASB -> CAS: SDRAMs D[8:5], D[17:14], D[26:23], D[35:32]
RWEA -> WE: SDRAMs D[4:0], D8, D[13:9], D[22:18], D[31:27]
RWEB -> WE: SDRAMs D[8:5], D[17:14], D[26:23], D[35:32]
RCKE0A -> CKE0: SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RCKE0B -> CKE0: SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RODT0A -> ODT0: SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RODT0B -> ODT0: SDRAMs D[7:4], D[16:13]
PCK0A -> CK: SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
PCK0B -> CK: SDRAMs D[7:4], D[16:13]
PCK1A -> CK: SDRAMs D[21:18], D[30:26], D35
PCK1B -> CK: SDRAMs D[25:22], D[34:31]
S1
CKE1
RCKE1A -> CKE1: SDRAMs D[21:18], D[30:26], D35
RCKE1B -> CKE1: SDRAMs D[25:22], D[34:31]
ODT1
RODT1A -> ODT1: SDRAMs D[21:18], D[30:26], D35
RODT1B -> ODT1: SDRAMs D[25:22], D[34:31]
PCK0A -> CK: SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
PCK0B -> CK: SDRAMs D[7:4], D[16:13]
PCK1A -> CK: SDRAMs D[21:18], D[30:26], D35
PCK1B -> CK: SDRAMs D[25:22], D[34:31]
CK0
120
Ω
±3%
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PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| M3950/1529A012 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M83731/2327D110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, MOMENTARY, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M393B5273CH0-CK004 | 制造商:Samsung 功能描述:4GBYTE REGISTERED DIMM, DDR3-1600 - Trays |
| M393B5273DH-CH9E8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GB 2RX8 PC3-8500R-07-00-B0-D1 - Trays |
| M393B5670EH1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR3 SDRAM Memory |
| M393B5670EH1-CF801 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB DDR3 REGISTERED DIMM, 1066MHZ, - Trays |
| M393B5670EH1-CH904 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GBYTE REGISTERED DIMM,DDR3-1333 - Trays |
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