- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录180205 > M393B5273CH0-CK0 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件页数： | 5/58页 |
| 文件大小： | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
第1页第2页第3页第4页当前第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页
datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
- 13 -
10.3 4GB, 512Mx72 Module (Populated as 1 rank of x4 DDR3 SDRAMs)
DQ[27:24]
DQ[19:16]
DQS8
CB[3:0]
DQS
DQ[3:0]
D8
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N
:0
]/B
A[
N
:0]
ZQ
RS
0A
RRAS
A
RCAS
A
RW
E
A
PC
K
0A
PC
K
0
A
RCKE
0
A
RODT0A
A[
N
:0]
A
/B
A[N:
0]A
VSS
VS
S
DQS17
CB[7:4]
DQS
D17
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N
:0
]/B
A[
N
:0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS3
DQ[27:24]
DQS
DQ[3:0]
D3
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N:0]
/B
A[N:
0]
ZQ
VSS
VS
S
DQS17
DQ[31:28]
DQS
D12
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N:0]
/B
A[N:
0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS8
DQ[19:16]
DQS
DQ[3:0]
D2
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DQS17
DQ[23:20]
DQS
D11
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS8
DQ[11:8]
DQS
DQ[3:0]
D1
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/
B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DQS17
DQ[15:12]
DQS
D10
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/
B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS8
DQ[3:0]
DQS
DQ[3:0]
D0
CS RAS CAS WE CK
CK
CKE
OD
T
A[
N:
0]
/B
A[
N:
0]
ZQ
VSS
VS
S
DQS17
DQ[7:4]
DQS
D9
CS RAS CAS WE CK
CK
CKE
OD
T
A[
N:
0]
/B
A[
N:
0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS8
DQ[35:32]
DQS
DQ[3:0]
D4
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N
:0
]/B
A[
N
:0]
ZQ
RS
0B
RRAS
B
RCAS
B
RW
E
B
PC
K
0B
PC
K
0
B
RCKE
0
B
RODT0B
A[
N
:0]
B
/B
A[N:
0]B
VSS
VS
S
DQS17
DQ[39:36]
DQS
D13
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N
:0
]/B
A[
N
:0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS8
DQ[43:40]
DQS
DQ[3:0]
D5
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N:0]
/B
A[N:
0]
ZQ
VSS
VS
S
DQS17
DQ[47:44]
DQS
D14
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A[
N:0]
/B
A[N:
0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS8
DQ[51:48]
DQS
DQ[3:0]
D6
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DQS17
DQ[55:52]
DQS
D15
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
DQS8
DQ[59:56]
DQS
DQ[3:0]
D7
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/
B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DQS17
DQ[63:60]
DQS
D16
CS RA
S
CA
S
WE CK
CK
E
ODT
A
[N:
0
]/
B
A[N:0]
ZQ
VSS
VS
S
DM
DQ[3:0]
DM
Vtt
VSS
VDD
D0 - D17
VREFCA
VDDSPD
Serial PD
VTT
VREFDQ
D0 - D17
NOTE :
1. DQ-to-I/O wiring may be changed within a nibble.
2. Unless otherwise noted, resistor values are 15
Ω ± 5%.
3. See the wiring diagrams for all resistors associated with the command, address
and control bus.
4. ZQ resistors are 240
Ω ± 1% . For all other resistor values refer to the appropriate
wiring diagram.
1:2
R
E
G
I
S
T
E
R
S1*
BA[N:0]
A[N:0]
RAS
CAS
WE
CKE0
RESET**
PST** : SDRAMs D[17:0]
RBA[N:0]A -> BA[N:0] : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RA[N:0]A -> A[N:0] : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RRASA -> RAS : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RCASA -> CAS : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RCKE0A -> CKE0 : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
PAR_IN
S0*
RS0A-> CS0 : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RBA[N:0]B -> BA[N:0] : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RA[N:0]B -> A[N:0] : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RRASB -> RAS : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RCASB -> CAS : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RWEA -> WE : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RWEB -> WE : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RCKE0B -> CKE0 : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
PCK0A -> CK : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
PCK0B -> CK : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
Err_out
QERR
RST
CK0
*S[3:2], CKE1, ODT1, CK1 and CK1 are NC
ODT0
RODT0A -> ODT0 : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
RODT0B -> ODT0 : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
CK0
PCK0A -> CK : SDRAMs D[3:0], D[12:8], D17
PCK0B -> CK : SDRAMs D[7:4], D[16:13]
RS0B-> CS0 : SDRAMs D[7:4], D[16:13]]
(Unused register inputs ODT1 and CKE1 have a 330
Ω resistor to ground)
A0
Thermal sensor with SPD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
EVENT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| M3950/1529A012 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M83731/2327D110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, MOMENTARY, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M393B5273CH0-CK004 | 制造商:Samsung 功能描述:4GBYTE REGISTERED DIMM, DDR3-1600 - Trays |
| M393B5273DH-CH9E8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GB 2RX8 PC3-8500R-07-00-B0-D1 - Trays |
| M393B5670EH1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR3 SDRAM Memory |
| M393B5670EH1-CF801 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB DDR3 REGISTERED DIMM, 1066MHZ, - Trays |
| M393B5670EH1-CH904 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GBYTE REGISTERED DIMM,DDR3-1333 - Trays |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。