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参数资料
| 型号： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件页数： | 31/58页 |
| 文件大小： | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
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- 30 -
datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
18. Electrical Characteristics and AC timing
(0
°C<TCASE ≤95 °C, VDDQ = 1.5V ± 0.075V; VDD = 1.5V ± 0.075V)
18.1 Refresh Parameters by Device Density
NOTE :
1. Users should refer to the DRAM supplier data sheet and/or the DIMM SPD to determine if DDR3 SDRAM devices support the following options or requirements referred to in
this material.
18.2 Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS for Corresponding Bin
18.3 Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS for corresponding Bin
DDR3 SDRAM Speed Bins include tCK, tRCD, tRP, tRAS and tRC for each corresponding bin.
[ Table 14 ] DDR3-800 Speed Bins
Parameter
Symbol
1Gb
2Gb
4Gb
8Gb
Units
NOTE
All Bank Refresh to active/refresh cmd time
tRFC
110
160
300
350
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
°C ≤ TCASE ≤ 85°C
7.8
μs
85
°C < TCASE ≤ 95°C
3.9
μs
1
Speed
DDR3-800
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
Units
NOTE
Bin (CL - tRCD - tRP)
6-6-6
7-7-7
9-9-9
11-11-11
Parameter
min
CL
6
7
911
tCK
tRCD
15
13.13
13.5
13.75
ns
tRP
15
13.13
13.5
13.75
ns
tRAS
37.5
36
35
ns
tRC
52.5
50.63
49.5
48.75
ns
tRRD
10
7.5
6.0
ns
tFAW
40
37.5
30
ns
Speed
DDR3-800
Units
NOTE
CL-nRCD-nRP
6 - 6 - 6
Parameter
Symbol
min
max
Internal read command to first data
tAA
15
20
ns
ACT to internal read or write delay time
tRCD
15
-
ns
PRE command period
tRP
15
-
ns
ACT to ACT or REF command period
tRC
52.5
-
ns
ACT to PRE command period
tRAS
37.5
9*tREFI
ns
8
CL = 6 / CWL = 5
tCK(AVG)
2.5
3.3
ns
1,2,3
Supported CL Settings
6
nCK
Supported CWL Settings
5
nCK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| M3950/1529A012 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M83731/2327D110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, MOMENTARY, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M393B5273CH0-CK004 | 制造商:Samsung 功能描述:4GBYTE REGISTERED DIMM, DDR3-1600 - Trays |
| M393B5273DH-CH9E8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GB 2RX8 PC3-8500R-07-00-B0-D1 - Trays |
| M393B5670EH1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR3 SDRAM Memory |
| M393B5670EH1-CF801 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB DDR3 REGISTERED DIMM, 1066MHZ, - Trays |
| M393B5670EH1-CH904 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GBYTE REGISTERED DIMM,DDR3-1333 - Trays |
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