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参数资料
| 型号： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件页数： | 56/58页 |
| 文件大小： | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
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datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
- 7 -
5. Pin Description
NOTE :
*The VDD and VDDQ pins are tied common to a single power-plane on these designs.
6. ON DIMM Thermal Sensor
[ Table 1 ] Temperature Sensor Characteristics
Pin Name
Description
Number
Pin Name
Description
Number
CK0
Clock Input, positive line
1
ODT[1:0]
On Die Termination Inputs
2
CK0
Clock Input, negative line
1
DQ[63:0]
Data Input/Output
64
CKE[1:0]
Clock Enables
2
CB[7:0]
Data check bits Input/Output
8
RAS
Row Address Strobe
1
DQS[8:0]
Data strobes
9
CAS
Column Address Strobe
1
DQS[8:0]
Data strobes, negative line
9
WE
Write Enable
1
DM[8:0]/
DQS[17:9]
TDQS[17:9]
Data Masks/ Data strobes,
Termination data strobes
9
S[3:0]
Chip Selects
4
DQS[17:9]
TDQS[17:9]
Data strobes, negative line, Termination data
strobes
9
A[9:0],A11,
A[15:13]
Address Inputs
2\14
RFU
Reserved for Future Use
2
A10/AP
Address Input/Autoprecharge
1
EVENT
Reserved for optional hardware temperature
sensing
1
A12/BC
Address Input/Burst chop
1
TEST
Memory bus test toll (Not Connected and Not
Usable on DIMMs)
1
BA[2:0]
SDRAM Bank Addresses
3
RESET
Register and SDRAM control pin
1
SCL
Serial Presence Detect (SPD) Clock Input
1
VDD
Power Supply
22
SDA
SPD Data Input/Output
1
VSS
Ground
59
SA[2:0]
SPD Address Inputs
3
VREFDQ
Reference Voltage for DQ
1
Par_In
Parity bit for the Address and Control bus
1
VREFCA
Reference Voltage for CA
1
Err_Out
Parity error found on the Address and Control
bus
1
VTT
Termination Voltage
4
VDDSPD
SPD Power
1
Total
240
Grade
Range
Temperature Sensor Accuracy
Units
NOTE
Min.
Typ.
Max.
B
75 < Ta < 95
-
+/- 0.5
+/- 1.0
°C
-
40 < Ta < 125
-
+/- 1.0
+/- 2.0
-
-20 < Ta < 125
-
+/- 2.0
+/- 3.0
-
Resolution
0.25
°C /LSB
-
SCL
SDA
WP/EVENT
SA0
SA1
SA2
SA0
SA1
SA2
EVENT
R1
0
Ω
R2
0
Ω
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| M3950/1529A012 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M83731/2327D110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, MOMENTARY, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M393B5273CH0-CK004 | 制造商:Samsung 功能描述:4GBYTE REGISTERED DIMM, DDR3-1600 - Trays |
| M393B5273DH-CH9E8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GB 2RX8 PC3-8500R-07-00-B0-D1 - Trays |
| M393B5670EH1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR3 SDRAM Memory |
| M393B5670EH1-CF801 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB DDR3 REGISTERED DIMM, 1066MHZ, - Trays |
| M393B5670EH1-CH904 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GBYTE REGISTERED DIMM,DDR3-1333 - Trays |
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