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参数资料
| 型号： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件页数： | 43/58页 |
| 文件大小： | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
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- 48 -
datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
20.3 512Mbx4 based 512Mx72 Module (1 Rank) - M393B5270CH0
133.35 ± 0.15
AB
47.00
71.00
Units : Millimeters
9.50
128.95
(2X)3.00
17.30
Reg
ister
1.27 ± 0.10
1.0 max
1.00
0.2 ± 0.15
2.50
±
0.20
Detail B
5.00
Detail A
1.50±0.10
0.80 ± 0.05
3.80
2.50
9.76
18.92
32.40
18.93
9.74
10.9
C
Detail C
10.9
R 0.
50
0.4
2.30
2.50
30.00
±
0.15
Max 4.0
54.675
20.3.1 x72 DIMM, populated as one physical rank of x4 DDR3 SDRAMs
The used device is 512M x4 DDR3 SDRAM, FBGA.
DDR3 SDRAM Part NO : K4B2G0446C-HC**
* NOTE : Tolerances on all dimensions ±0.15 unless otherwise specified.
Regist
er
Address, Command and Control lines
2x 2.10 ± 0.15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| M3950/1529A012 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M83731/2327D110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, MOMENTARY, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M393B5273CH0-CK004 | 制造商:Samsung 功能描述:4GBYTE REGISTERED DIMM, DDR3-1600 - Trays |
| M393B5273DH-CH9E8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GB 2RX8 PC3-8500R-07-00-B0-D1 - Trays |
| M393B5670EH1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR3 SDRAM Memory |
| M393B5670EH1-CF801 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB DDR3 REGISTERED DIMM, 1066MHZ, - Trays |
| M393B5670EH1-CH904 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GBYTE REGISTERED DIMM,DDR3-1333 - Trays |
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