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参数资料
| 型号： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件页数： | 33/58页 |
| 文件大小： | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
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- 32 -
datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
[ Table 17 ] DDR3-1600 Speed Bins
Speed
DDR3-1600
Units
NOTE
CL-nRCD-nRP
11-11-11
Parameter
Symbol
min
max
Intermal read command to first data
tAA
13.75
(13.125)5,9
20
ns
ACT to internal read or write delay time
tRCD
13.75
(13.125)5,9
-
ns
PRE command period
tRP
13.75
(13.125)5,9
-
ns
ACT to ACT or REF command period
tRC
48.75
(48.125)5,9
-
ns
ACT to PRE command period
tRAS
35
9*tREFI
ns
CL = 6
CWL = 5
tCK(AVG)
2.5
3.3
ns
1,2,3,8
CWL = 6
tCK(AVG)
Reserved
ns
1,2,3,4,8
CWL = 7, 8
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CL = 7
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 6
tCK(AVG)
1.875
<2.5
ns
1,2,3,4,8
(Optional) NOTE 5,9
CWL = 7
tCK(AVG)
Reserved
ns
1,2,3,4,8
CWL = 8
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CL = 8
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 6
tCK(AVG)
1.875
<2.5
ns
1,2,3,8
CWL = 7
tCK(AVG)
Reserved
ns
1,2,3,4,8
CWL = 8
tCK(AVG)
Reserved
ns
1,2,3,4
CL = 9
CWL = 5,6
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 7
tCK(AVG)
1.5
<1.875
ns
1,2,3,4,8
(Optional) NOTE 9,10
CWL = 8
tCK(AVG)
TBD
ns
1,2,3,4
CL = 10
CWL = 5,6
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 7
tCK(AVG)
1.5
<1.875
ns
1,2,3,8
(Optional) NOTE 9,10
CWL = 8
tCK(AVG)
Reserved
ns
1,2,3,4
CL = 11
CWL = 5,6,7
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 8
tCK(AVG)
1.25
<1.5
ns
1,2,3,5
Supported CL Settings
6,7,8,9,10,11
nCK
Supported CWL Settings
5,6,7,8
nCK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
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| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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