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参数资料
| 型号： | M68HC12B |
| 厂商： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件页数： | 312/334页 |
| 文件大小： | 1671K |
| 代理商： | M68HC12B |
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Electrical Specifications
M68HC12B Family Data Sheet, Rev. 9.1
312
Freescale Semiconductor
19.9 Analog Converter Operating Characteristics
Characteristic
(1)
1. V
DD
= 5.0 Vdc
±
10%, V
SS
= 0 Vdc, T
= T
L
to T
H
, ATD clock = 2 MHz, unless otherwise noted
2. V
RH
V
RL
≥
5.12 V; V
DDA
V
SSA
=
5.12 V
3. At V
REF
= 5.12 V, one 8-bit count = 20 mV, and one 10-bit count = 5 mV. INL and DNL are characterized using the process
window parameters affecting the ATD accuracy, but they are not tested.
4. Eight-bit absolute error of 1 count (20 mV) includes 1/2 count (10 mV) inherent quantization error and 1/2 count (10 mV)
circuit (differential, integral, and offset) error.
5. Maximum source impedance is application-dependent. Error resulting from pin leakage depends on junction leakage into
the pin and on leakage due to charge-sharing with internal capacitance.
Error from junction leakage is a function of external source impedance and input leakage current. Expected error in result
value due to junction leakage is expressed in voltage (V
ERRJ
):
V
ERRJ
=
R
S
×
I
OFF
Where
I
OFF
is a function of operating temperature. Charge-sharing effects with internal capacitors are a function of ATD clock
speed, the number of channels being scanned, and source impedance. For 8-bit conversions, charge pump leakage is
computed as:
V
ERRJ
=
0.25 pF
×
V
DDA
×
R
S
×
ATDCLK/(8
×
number of channels)
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
8-bit resolution
(2)
1 count
—
20
—
mV
8-bit differential non-linearity
(3)
DNL
0.5
—
+
0.5
Count
8-bit integral non-linearity
(3)
INL
1
—
+
1
Count
8-bit absolute error
(3), (4)
2, 4, 8, and 16 ATD sample clocks
AE
1
—
+
1
Count
10-bit resolution
(2)
1 count
—
5
—
mV
10-bit differential non-linearity
(3)
DNL
–2
—
2
Count
10-bit integral non-linearity
(3)
INL
–2
—
2
Count
10-bit absolute error
(3)
2, 4, 8, and 16 ATD sample clocks
AE
–2.5
—
2.5
Count
Maximum source impedance
R
S
—
20
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(5)
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