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参数资料
| 型号： | M68HC12B |
| 厂商： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件页数： | 97/334页 |
| 文件大小： | 1671K |
| 代理商： | M68HC12B |
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EEPROM Control Registers
M68HC12B Family Data Sheet, Rev. 9.1
Freescale Semiconductor
97
If BYTE = 1 and test mode is not enabled, only the location specified by the address written to the
programming latches will be erased. The operation will be a byte or an aligned word erase depending on
the size of written data.
ERASE — Erase Control Bit
0 = EEPROM configuration for programming or reading
1 = EEPROM configuration for erasure
Read anytime. Write anytime if EEPGM = 0.
Configures the EEPROM for erasure or programming.
When test mode is not enabled and unless BULKP is set, erasure is by byte, aligned word, row, or bulk.
EELAT — EEPROM Latch Control Bit
0 = EEPROM set up for normal reads
1 = EEPROM address and data bus latches set up for programming or erasing
Read anytime. Write anytime if EEPGM = 0.
NOTE
When EELAT is set, the entire EEPROM is unavailable for reads.
Therefore, no program residing in the EEPROM can be executed while
attempting to program unused EEPROM space. Care should be taken that
no references to the EEPROM are used while programming. Interrupts
should be turned off if the vectors are in the EEPROM. Timing and any
serial communications must be done with polling during the programming
process.
BYTE, ROW, ERASE, and EELAT bits can be written simultaneously or in any sequence.
EEPGM — Program and Erase Enable Bit
0 = Disables program/erase voltage to EEPROM
1 = Applies program/erase voltage to EEPROM
The EEPGM bit can be set only after EELAT has been set. When an attempt is made to set EELAT
and EEPGM simultaneously, EEPGM remains clear but EELAT is set.
The BULKP, BYTE, ROW, ERASE, and EELAT bits cannot be changed when EEPGM is set. To complete
a program or erase, a write to clear EEPGM and EELAT bits is required before reading the programmed
data. A write to an EEPROM location has no effect when EEPGM is set. Latched address and data cannot
be modified during program or erase.
A program or erase operation should follow this sequence:
1.
Write BYTE, ROW, and ERASE to the desired value;
write EELAT = 1.
2.
Write a byte or an aligned word to an EEPROM address.
3.
Write EEPGM = 1.
4.
Wait for programming (
t
PROG
) or erase (
t
Erase
) delay time.
5.
Write EEPGM = 0 and EELAT = 0.
To program/erase more bytes or words without intermediate EEPROM reads, only write EEPGM = 0 in
step 5, leaving EELAT = 1, and jump to step 2.
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