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参数资料
型号： MCIMX534AVV8C
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 32-BIT, 800 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA529
封装： 19 X 19 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TEPBGA-529
文件页数： 110/178页
文件大小： 4711K
代理商： MCIMX534AVV8C
Electrical Characteristics
i.MX53xA Automotive and Infotainment Applications Processors, Rev. 3
Freescale Semiconductor
37
Table 18 shows DDR output driver average impedance of the i.MX53
xA processor.
Table 18. DDR Output Driver Average Impedance1
1 Output driver impedance is controlled across PVTs (process, voltages, and temperatures) using calibration procedure and
pu_*cal, pd_*cal input pins.
Parameter
Symbol
Test Conditions
Drive strength (DSE)
Unit
000
001
010
011
100
101
110
111
Output
Driver
Impedance
Rdrv2
2 Output driver impedance deviation (calibration accuracy) is ±5% (max/min impedance) across PVTs.
LPDDR1/DDR2 mode
NVCC_DRAM = 1.8 V
DDR_SEL = 00
Calibration resistance = 300
Ω3
3 Calibration is done against external reference resistor. Value of the resistor should be varied depending on DDR mode and
DDR_SEL setting.
Hi-Z
300
150
100
75
60
50
43
Ω
DDR2 mode
NVCC_DRAM = 1.8 V
DDR_SEL = 01
Calibration resistance = 180
Ω3
Hi-Z
180
90
60
45
36
30
26
DDR2 mode
NVCC_DRAM = 1.8 V
DDR_SEL = 10
Calibration resistance = 200
Ω3
Hi-Z
200
100
66
50
40
33
28
DDR2 mode
NVCC_DRAM= 1.8 V
DDR_SEL = 11
Calibration resistance = 140
Ω3
Hi-Z
140
70
46
35
28
23
20
LPDDR2 mode
NVCC_DRAM= 1.2 V
DDR_SEL = 014
Calibration resistance = 160
Ω3
4 If DDR_SEL = ‘01’ or DDR_SEL = ‘11’ are selected with NVCC_DRAM = 1.2 V for LPDDR2 operation, the external reference
resistor value must be 160
Ω for a correct ZQ calibration. In any case, reference resistors attached to the DDR memory devices
should be kept to 240
Ω per the JEDEC standard.
Hi-Z
160
80
53
40
32
27
23
LPDDR2 mode
NVCC_DRAM = 1.2 V
DDR_SEL = 10
Calibration resistance = 240
Ω3
Hi-Z
240
120
80
60
48
40
34
LPDDR2 mode
NVCC_DRAM = 1.2 V
DDR_SEL = 114
Calibration resistance = 160
Ω3
Hi-Z
160
80
53
40
32
27
23
DDR3 mode
NVCC_DRAM = 1.5 V
DDR_SEL = 00
Calibration resistance = 200
Ω3
Hi-Z
240
120
80
60
48
34
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