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参数资料
| 型号： | MCP6N11T-100E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| 增益带宽积： | 35MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 350µV |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 19
MCP6N11
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
2.2
Frequency Response
FIGURE 2-32:
CMRR vs. Frequency.
FIGURE 2-33:
PSRR vs. Frequency.
FIGURE 2-34:
Normalized Open-Loop
Gain vs. Frequency.
FIGURE 2-35:
Normalized Gain Bandwidth
Product and Phase Margin vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-36:
Closed-Loop Output
Impedance vs. Frequency.
FIGURE 2-37:
Gain Peaking vs.
Normalized Capacitive Load.
40
50
60
70
80
90
100
CMRR
(dB)
G
MIN = 1
V
DD = 5.5V
0
10
20
30
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
Frequency (Hz)
G
MIN
1
G
MIN = 2
G
MIN = 5
G
MIN = 10
G
MIN = 100
1k
10k
100k
1M
110
120
V
DD = 5.5V
80
90
100
60
70
80
R
(dB)
40
50
60
PSR
R
20
30
40
G
MIN = 1
G
MIN = 2
G
MIN = 5
0
10
20
MIN
G
MIN = 10
G
MIN = 100
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
Frequency (Hz)
1k
10k
100k
1M
-90
-60
100
120
n
-150
-120
60
80
o
p
Gai
(°)
o
p
Gai
N
(dB)
A
OL/GMIN
210
-180
-150
20
40
60
p
en-Lo
o
O
L
/G
MIN
p
en-Lo
o
A
OL
/G
MI
N
| A
OL/GMIN |
-240
-210
0
20
z
ed
O
p
a
se;
A
O
z
ed
O
p
tude;
A
-300
-270
-40
-20
o
rmali
z
Ph
a
o
rmali
z
M
agni
t
G
MIN = 1
G
MIN = 2
G
=5
-360
-330
-80
-60
N
o
N
o
M
G
MIN =5
G
MIN = 10
G
MIN = 100
1.E+4
1.E+5
1.E+6
1.E+7
Frequency (Hz)
10k
100k
1M
10M
140
150
0.45
0.50
h
)
120
130
035
0.40
°)
n
dwit
h
N
(MHz
)
100
110
120
025
0.30
0.35
a
rgin
(
a
in
Ba
n
W
P/G
MI
N
G
MIN = 1
G
MIN = 2
GBWP
90
100
0.20
0.25
h
ase
M
a
ized
G
a
t;
GB
W
MIN
G
MIN = 5
G
MIN = 10
G
MIN = 100
GBWP
PM
70
80
0.10
0.15
P
h
N
ormal
i
roduc
t
50
60
0.00
0.05
N
P
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
1.E+04
n
ce
10k
m
peda
n
G
DM/GMIN = 10
G
MIN = 1 to 10
1.E+03
tput
I
m
)
1k
G
DM/GMIN
10
MIN
1E+02
o
p
Ou
t
(
100
G
MIN = 100
1.E+02
s
ed-Lo
o
100
1E+01
Clo
s
G
DM/GMIN = 1
10
1.E+01
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
Frequency (Hz)
10
1k
10k
100k
1M
10M
6
7
G
MIN = GDM = 1
G
MIN = 10
5
6
B)
G
MIN
G
DM
1
= 2
= 5
= 10
G
DM = 20
= 50
4
5
k
ing
(d
= 100
3
n
Pea
k
G
MIN = 100
G
DM = 200
= 500
2
Gai
0
1
0
1.E+1
1.E+2
1.E+3
Normalized Capacitive Load; C
L(GMIN/GDM) (F)
10p
100p
1n
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCP6S21-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21 |
| MCP6S21-I/SN | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
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