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参数资料
| 型号： | MCP6N11T-100E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 45/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| 增益带宽积： | 35MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 350µV |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 5
MCP6N11
Differential Input
Voltage Range
VDML
-2.7/GMIN
——
V
all
VREF = (VDD –GDMVDM)/2
VDMH
—
+2.7/GMIN
V
Differential Gain Error
gE
-1
±0.13+1%
VDM = VDML to VDMH,
Differential Gain Drift
ΔgE/ΔTA
—
±0.0006
—
%/°C
VREF = (VDD –GDMVDM)/2
Differential
Non-Linearity
INLDM
-500
±30
+500
ppm
1
-800
±40
+800
ppm
2, 5
-2000
±100
+2000
ppm
10, 100
DC Open-Loop Gain
AOL
61
84
—
dB
1
VDD =1.8V,
68
90
—
dB
2
VOUT = 0.2V to 1.6V
76
98
—
dB
5
78
104
—
dB
10
86
116
—
dB
100
70
94
—
dB
1
VDD =5.5V,
77
100
—
dB
2
VOUT = 0.2V to 5.3V
84
108
—
dB
5
90
114
—
dB
10
97
125
—
dB
100
Output
Minimum Output
Voltage Swing
VOL
——
VSS +15
mV
all
VDM =-VDD/(2GDM),
VDD =1.8V,
VREF = VDD/2 – 1V
——
VSS +25
mV
VDM =-VDD/(2GDM),
VDD =5.5V,
VREF = VDD/2 – 1V
Maximum Output
Voltage Swing
VOH
VDD 15
—
mV
VDM =VDD/(2GDM),
VDD =1.8V,
VREF = VDD/2 + 1V
VDD 25
—
mV
VDM =VDD/(2GDM),
VDD =5.5V,
VREF = VDD/2 + 1V
Output Short Circuit
Current
ISC
—±8
—
mA
VDD = 1.8V
—±30
—
mA
VDD = 5.5V
Power Supply
Supply Voltage
VDD
1.8
—
5.5
V
all
Quiescent Current
per Amplifier
IQ
0.5
0.8
1.1
mA
IO = 0
POR Trip Voltage
VPRL
1.1
1.4
—
V
VPRH
—1.4
1.7
V
TABLE 1-1:
DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (CONTINUED)
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD,
VCM =VDD/2, VDM =0V, VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL =10 kΩ to VL and GDM =GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
GMIN
Conditions
Note 1:
VCM = (VIP + VIM) / 2, VDM = (VIP – VIM) and GDM = 1 + RF/RG.
2:
The VOS spec limits include 1/f noise effects.
3:
This is the input offset drift without VOS re-calibration; toggle EN/CAL to minimize this effect.
4:
These specs apply to both the VIP, VIM input pair (use VCM) and to the VREF, VFG input pair (VREF takes VCM’s place).
5:
This spec applies to the VIP, VIM, VREF and VFG pins individually.
6:
Figure 2-11 and Figure 2-19 show the VIVR and VDMR variation over temperature.
7:
See Section 1.5 “Explanation of DC Error Specs”.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP6V11T-E/OT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SOT23-5 |
| MCP6V27T-E/SN | IC OPAMP DUAL AUTO-ZERO 8SOIC |
| MCP6V31UT-E/LT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SC70-5 |
| ME50101VX-000U-A99 | FAN BRUSHLESS 12VDC 50X50X10MM |
| MIC6211BM5 TR | IC OP AMP GEN PURPOSE SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP6S21-I/MS | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21 |
| MCP6S21-I/SN | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
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