参数资料
型号: MCP6N11T-100E/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 15/50页
文件大小: 0K
描述: IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC
标准包装: 3,300
放大器类型: 仪表
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
转换速率: 6 V/µs
增益带宽积: 35MHz
电流 - 输入偏压: 10pA
电压 - 输入偏移: 350µV
电流 - 电源: 800µA
电流 - 输出 / 通道: 30mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
MCP6N11
DS25073A-page 22
2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM = GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
FIGURE 2-49:
Output Overdrive Recovery
Time vs. Normalized Gain.
FIGURE 2-50:
The MCP6N11 Shows No
Phase Reversal vs. Common Mode Input
Overdrive, with VDD =5.5V.
FIGURE 2-51:
The MCP6N11 Shows No
Phase Reversal vs. Differential Input Overdrive,
with VDD =5.5V.
10
100
1000
tOverdrive
Recovery
;
t OR
(μs)
G
MIN = 10
G
DM = 2GMIN
V
REF = 0.75VDD
G
MIN = 1
V
DD = 1.8V
V
DD = 5.5V
1
10
1
10
100
Outpu
Normalized Gain; G
DM/GMIN
G
MIN = 100
5
6
u
t
V
DD = 5.5V
G
DMVDM =+0.1V
V
CM
4
5
,Outp
u
G
DMVDM
0.1V
f = 10 kHz
3
Mode
,
e
s
(V)
2
mmon
V
oltag
e
V
G
1
0
1
p
ut
Co
V
OUT, GMIN = 1
V
OUT, GMIN = 100
-1
0
In
p
0
102030405060708090 100
Time (μs)
3
4
V
DD = 5.5V
V
IP
2
3
g
es
(V)
0
1
Vo
lt
a
g
V
OUT, GMIN = 1
V
OUT, GMIN = 100
-1
0
O
utput
-2
n
put,
O
-4
-3
In
V
IM
0
102030405060708090
100
Time (μs)
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PDF描述
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