参数资料
型号: MCP6N11T-100E/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 17/50页
文件大小: 0K
描述: IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC
标准包装: 3,300
放大器类型: 仪表
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
转换速率: 6 V/µs
增益带宽积: 35MHz
电流 - 输入偏压: 10pA
电压 - 输入偏移: 350µV
电流 - 电源: 800µA
电流 - 输出 / 通道: 30mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
MCP6N11
DS25073A-page 24
2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM = GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
FIGURE 2-58:
Quiescent Current in
Shutdown vs. Power Supply Voltage.
FIGURE 2-59:
Output Leakage Current vs.
Output Voltage.
0.0
e
nt;
EN/CAL = 0V
-0.5
y
Curr
e
-1.0
S
uppl
y
μ
A)
-1.5
P
ower
S
I SS
-2.0
ative
P
+125°C
+85°C
-2.5
Neg
+85 C
+25°C
-40°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
Power Supply Voltage (V)
1.E-07
A
)
EN/CAL = 0V
V
DD = 5.5V
100n
1.E-08
rent
(
A
+125°C
DD
10n
1.E-09
g
e
Cur
r
+85°C
1n
1.E-10
L
eaka
g
100p
1.E-11
u
tput
L
25°C
10p
1.E-12
O
u
+25°C
1p
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Output Voltage (V)
1p
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PDF描述
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