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参数资料
| 型号： | MCP6N11T-100E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 13/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| 增益带宽积： | 35MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 350µV |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP6N11
DS25073A-page 20
2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
2.3
Noise
FIGURE 2-38:
Normalized Input Noise
Voltage Density vs. Frequency.
FIGURE 2-39:
Normalized Input Noise
Voltage Density vs. Input Common Mode
Voltage, with f = 100 Hz.
FIGURE 2-40:
Normalized Input Noise
Voltage Density vs. Input Common Mode
Voltage, with f = 10 kHz.
FIGURE 2-41:
Normalized Input Noise
Voltage vs. Time, with GMIN = 1 to 10.
FIGURE 2-42:
Normalized Input Noise
Voltage vs. Time, with GMIN = 100.
1000
a
ge
1m
RTO
100
e
Vo
lt
a
/Hz)
100μ
10
u
tNois
e
N
e
ni
(V
/
10
G
MIN = 100
10
e
d
Inp
u
ty;
G
MI
10μ
1
rmaliz
e
Densi
t
1μ
G
MIN = 10
G
MIN = 5
G
MIN = 2
0.1
No
r
100n
G
MIN
2
G
MIN = 1
1.E-1 1.E+0 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+4 1.E+5 1.E+6
Frequency (Hz)
0.1
100
1k
1
10
100k
1M
10k
12
14
e
10
12
Vo
lt
a
g
Hz)
G
= 100
8
Noise
e
ni
(μV/
V
DD = 1.8V
V
DD = 5.5V
G
MIN = 100
G
MIN = 10
G
MIN = 5
G
MIN =2
6
Input
;G
MIN
e
G
MIN = 2
G
MIN = 1
2
4
m
alized
e
nsity
;
0
2
Nor
m
D
e
f = 100 Hz
RTO
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Common Mode Input Voltage (V)
35
4.0
e
3.0
3.5
Vo
lt
a
g
Hz)
20
2.5
Noise
e
ni
(μV/
V
DD = 1.8V
V
DD = 5.5V
G
MIN = 100
G
MIN = 10
G
MIN = 5
1.5
2.0
Input
;G
MIN
e
MIN
G
MIN = 2
G
MIN = 1
05
1.0
m
alized
e
nsity
;
0.0
0.5
Nor
m
D
e
f = 10 kHz
RTO
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Common Mode Input Voltage (V)
0.4
0.5
Representative Part
G
MIN = 1 to 10
Analog NPBW = 0.1 Hz
Sample Rate = 4 SPS
02
0.3
N
oise;
)
MIN
RTO
p
00
0.1
0.2
nput
N
t)
(mV
)
-0.1
0.0
a
lized
I
G
MIN
e
ni
(t
-0.3
-0.2
Norm
a
G
-0.5
-0.4
0
5
10
15
20
25
30
35
Time (min)
15
2.0
Representative Part
G
MIN = 100
Analog NPBW = 0.1 Hz
Sample Rate = 4 SPS
1.0
1.5
N
oise;
)
MIN
RTO
p
00
0.5
nput
N
t)
(mV
)
-0.5
0.0
a
lized
I
G
MIN
e
ni
(t
-1.0
Norm
a
G
-2.0
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
Time (min)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP6S21-I/MS | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21 |
| MCP6S21-I/SN | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
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