- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录2159 > MCP6N11T-100E/SN (Microchip Technology)IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCP6N11T-100E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| 增益带宽积： | 35MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 350µV |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页当前第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 13
MCP6N11
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
2.1
DC Voltages and Currents
FIGURE 2-1:
Normalized Input Offset
Voltage, with GMIN = 1 to 10.
FIGURE 2-2:
Normalized Input Offset
Voltage, with GMIN = 100.
FIGURE 2-3:
Normalized Input Offset
Voltage Drift, with GMIN = 1 to 10.
FIGURE 2-4:
Normalized Input Offset
Voltage Drift, with GMIN = 100.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
30%
35%
es
330 Samples
T
A =
25%
30%
rrence
T
A
+25°C
V
DD = 1.8V and 5.5V
RTO
20%
fOccu
G
MIN = 1
G
MIN =2to10
10%
15%
tage
of
G
MIN =2to 10
5%
10%
Percent
0%
0
6
2
8
4
0
4
8
2
6
0
P
-2.
0
-1.
6
-1.
2
-0.
8
-0.
4
0.
0
0.
4
0.
8
1.
2
1.
6
2.
0
Normalized Input Offset Voltage; G
MINVOS (mV)
12%
14%
s
330 Samples
G
MIN = 100
10%
12%
rrence
MIN
T
A = +25°C
V
DD = 1.8V and 5.5V
RTO
8%
fOccu
6%
tage
o
f
2%
4%
P
ercen
t
0%
2%
P
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Normalized Input Offset Voltage; G
MINVOS (mV)
25%
c
es
No V
OS Re-calibration
330 Samples
20%
c
urren
c
p
G
MIN = 1 to 10
V
DD = 5.5V
RTO
15%
of
Oc
c
10%
e
ntage
5%
Perc
e
0%
600
500
4
00
300
2
00
100
0
100
2
00
300
4
00
500
600
-
-4
-
-2
-
2
4
Normalized Input Offset Voltage Drift;
G
MIN(VOS/TA) (μV/°C)
16%
18%
c
es
No V
OS Re-calibration
330 Samples
12%
14%
c
urren
c
p
G
MIN = 100
V
DD = 5.5V
RTO
8%
10%
of
Oc
c
4%
6%
8%
e
ntage
0%
2%
4%
Perc
e
0%
1
200
1
000
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
800
1
000
1
200
-1
1
Normalized Input Offset Voltage Drift;
G
MIN(VOS/TA) (μV/°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP6V11T-E/OT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SOT23-5 |
| MCP6V27T-E/SN | IC OPAMP DUAL AUTO-ZERO 8SOIC |
| MCP6V31UT-E/LT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SC70-5 |
| ME50101VX-000U-A99 | FAN BRUSHLESS 12VDC 50X50X10MM |
| MIC6211BM5 TR | IC OP AMP GEN PURPOSE SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP6S21-I/MS | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21 |
| MCP6S21-I/SN | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。