参数资料
型号: MCP6N11T-100E/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 12/50页
文件大小: 0K
描述: IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC
标准包装: 3,300
放大器类型: 仪表
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
转换速率: 6 V/µs
增益带宽积: 35MHz
电流 - 输入偏压: 10pA
电压 - 输入偏移: 350µV
电流 - 电源: 800µA
电流 - 输出 / 通道: 30mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
MCP6N11
DS25073A-page 2
2011 Microchip Technology Inc.
Minimum Gain Options
Table 1 shows key specifications that differentiate
between the different minimum gain (GMIN) options.
See
Identification System for further information on GMIN.
TABLE 1:
KEY DIFFERENTIATING SPECIFICATIONS
Part No.
GMIN
(V/V)
Nom.
VOS
(±mV)
Max.
VOS/TA
(±V/°C)
Typ.
CMRR (dB)
Min.
VDD =5.5V
PSRR
(dB)
Min.
VDMH
(V)
Max.
GBWP
(MHz)
Nom.
Eni
(VP-P)
Nom.
(f = 0.1 to 10 Hz)
eni
(nV/
√Hz)
Nom.
(f = 10 kHz)
MCP6N11-001
1
3.0
90
70
62
2.70
0.50
570
950
MCP6N11-002
2
2.0
45
78
68
1.35
1.0
285
475
MCP6N11-005
5
0.85
18
80
75
0.54
2.5
114
190
MCP6N11-010
10
0.50
9.0
81
0.27
5.0
57
95
MCP6N11-100
100
0.35
2.7
88
86
0.027
35
18
35
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