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参数资料
| 型号： | MCP6N11T-100E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| 增益带宽积： | 35MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 350µV |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 21
MCP6N11
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
2.4
Time Response
FIGURE 2-43:
Small Signal Step
Response.
FIGURE 2-44:
Large Signal Step
Response.
FIGURE 2-45:
Slew Rate vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-46:
Maximum Output Voltage
Swing vs. Frequency.
FIGURE 2-47:
Common Mode Input
Overdrive Recovery Time vs. Normalized Gain.
FIGURE 2-48:
Differential Input Overdrive
Recovery Time vs. Normalized Gain.
)
V
DD = 5.5V
G
DM = GMIN
m
V/div
)
R
F + RG = 10 k
e
(10
m
G
MIN =1to10
Vo
lt
a
g
G
MIN = 1 to 10
G
MIN = 100
O
utput
O
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Time (μs)
5.0
5.5
)
V
DD = 5.5V
G
DM = GMIN
4.0
4.5
m
V/div
)
DM
MIN
R
F + RG = 10 k
3.0
3.5
e
(10
m
2.0
2.5
V
oltag
e
G
MIN = 1 to 10
G
MIN = 100
1.0
1.5
O
utput
V
0.0
0.5
O
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Time (μs)
9
10
7
8
s
)
5
6
7
te
(V/μ
s
G
1t 10
V
=55V
4
5
e
w
Ra
t
G
MIN = 1to 10
G
MIN = 100
V
DD =5.5V
V
DD = 1.8V
2
3
Sl
e
0
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
10
ing
ge
Sw
V
DD = 5.5V
1
tV
o
lta
-P
)
V
DD = 1.8V
1
Outpu
(V
P
G
MIN = 1 to 10
G
MIN = 100
x
imum
0
Ma
x
0
1.E+4
1.E+5
1.E+6
Frequency (Hz)
10k
100k
1M
1000
g
e
s
)
G
DMVDM = ±1V
100
Vo
lt
a
g
t IRC
(μ
s
V
DD = 5.5V
100
n
Mode
o
very;
V
DD = 1.8V
DD
10
o
mmo
n
v
e
Rec
o
10
p
ut
C
o
v
erdri
v
G
MIN = 100
1
In
p
O
v
G
MIN = 1
G
MIN = 10
1
10
100
Normalized Gain; G
DM/GMIN
1000
a
ge
s
)
100
e
Vo
lt
a
t IRD
(μ
s
V
DD = 5.5V
100
a
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e
o
very;
V
DD = 1.8V
V
DD
5.5V
10
e
renti
a
v
e
Rec
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p
ut
Diff
e
v
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v
G
MIN = 100
1
In
p
O
v
G
MIN = 1
G
MIN = 10
1
10
100
Normalized Gain; G
DM/GMIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP6V11T-E/OT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SOT23-5 |
| MCP6V27T-E/SN | IC OPAMP DUAL AUTO-ZERO 8SOIC |
| MCP6V31UT-E/LT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SC70-5 |
| ME50101VX-000U-A99 | FAN BRUSHLESS 12VDC 50X50X10MM |
| MIC6211BM5 TR | IC OP AMP GEN PURPOSE SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP6S21-I/MS | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21 |
| MCP6S21-I/SN | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
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