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参数资料
| 型号： | MCP6N11T-100E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 27/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| 增益带宽积： | 35MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 350µV |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 33
MCP6N11
4.4
Typical Applications
4.4.1
HIGH INPUT IMPEDANCE
DIFFERENCE AMPLIFIER
Figure 4-11 shows the MCP6N11 used as a difference
amplifier. The inputs are high impedance and give good
CMRR performance.
FIGURE 4-11:
Difference Amplifier.
4.4.2
DIFFERENCE AMPLIFIER FOR
VERY LARGE COMMON MODE
SIGNALS
Figure 4-12 shows the MCP6N11 INA used as a
difference amplifier for signals with a very large
common mode component. The input resistor dividers
(R1 and R2) ensure that the voltages at the INA’s inputs
are within their range of normal operation. The
capacitors C1, with the parasitic capacitances C2 (the
resistors’ parasitic capacitance plus the INA’s input
common mode capacitance, CCM), set the same
division ratio, so that high-frequency signals (e.g., a
step in voltage) have the same gain. Select the INA
gain to compensate for R1 and R2’s attenuation. Select
R1 and R2’s tolerances for good CMRR.
FIGURE 4-12:
Difference Amplifier with
Very Large Common Mode Component.
4.4.3
HIGH SIDE CURRENT DETECTOR
Figure 4-13 shows the MCP6N11 INA used as to detect
and amplify the high side current in a battery powered
design. The INA gain is set at 21 V/V, so VOUT changes
210 mV for every 1 mA of IDD current. The best GMIN
option to pick would be a gain of 10 (MCP6N11-010).
FIGURE 4-13:
High Side Current Detector.
4.4.4
WHEATSTONE BRIDGE
shows
the
MCP6N11
single
instrumentation amp used to condition the signal from
a Wheatstone bridge (e.g., strain gage). The overall
INA gain is set at 201 V/V. The best GMIN option to pick,
for this gain, is 100 V/V (MCP6N11-100).
FIGURE 4-14:
Wheatstone Bridge
Amplifier.
VOUT
VIP
VDD
VIM
VREF
VFG
RF
RG
U1
MCP6N11
VOUT
VDD
VREF
VFG
RF
RG
R2
R1
V2
C1
C2
R2
R1
V1
C1
C2
U1
MCP6N11
IDD =
(VBAT –VDD)
(10
Ω)
=
(VOUT –VREF)
(10
Ω) (21.0 V/V)
10
Ω
VDD
IDD
VBAT
+1.8V
to
+5.5V
VOUT
VREF
VFG
RF
RG
200 k
Ω
10 k
Ω
U1
MCP6N11
VOUT
VREF
VFG
RF
RG
200 k
Ω
1k
Ω
VDD
RW1
RW2
RW1
U1
MCP6N11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP6S21-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21 |
| MCP6S21-I/SN | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
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