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参数资料
| 型号： | MCP6N11T-100E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 50/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| 增益带宽积： | 35MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 350µV |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 9
MCP6N11
1.4
DC Test Circuits
1.4.1
INPUT OFFSET TEST CIRCUIT
Figure 1-6 is used for testing the INA’s input offset
errors and input voltage range (VE, VIVL and VIVH; see
to equal VCNT; U1 can be set to any bias point.
FIGURE 1-6:
Test Circuit for Common
Mode (Input Offset).
When MCP6N11 is in its normal range of operation, the
DC output voltages are (where VE is the sum of input
offset errors and gE is the gain error):
EQUATION 1-1:
for different GMIN options.
1.4.2
DIFFERENTIAL GAIN TEST CIRCUIT
Figure 1-7 is used for testing the INA’s differential gain
error, non-linearity and input voltage range (gE, INLDM,
accurate gain error measurements.
FIGURE 1-7:
Test Circuit for Differential
Mode.
The output voltages are (where VE is the sum of input
offset errors and gE is the gain error):
EQUATION 1-2:
To keep VREF, VFG and VOUT within their ranges, set:
EQUATION 1-3:
produce a 10 k
Ω load; VL can usually be left open.
TABLE 1-5:
SELECTING RF AND RG
GMIN
(V/V)
Nom.
RF
(
Ω)
Nom.
RG
(
Ω)
Nom.
GDM
(V/V)
Nom.
GDMVOS
(±V)
Max.
BW
(kHz)
Nom.
1
100k
499
201.4
0.60
2.5
2
0.40
5.0
5
100k
100
1001
0.85
2.5
10
0.50
5.0
100
0.35
35
RL
VCM
100 nF
VDD
2.2 F
VREF
VL
12.7 k
Ω
VM
100 nF
CCNT
U1
MCP6N11
U2
MCP6H01
VCNT
63.4 k
Ω
RG
RF
RCNT
63.4 k
Ω
VOUT
10 nF
1k
Ω
1k
Ω
G
DM
1R
F RG
+
=
V
OUT
V
CNT
=
V
M
V
REF
G
DM 1gE
+
()V
E
+
=
TABLE 1-6:
SELECTING RF AND RG
GMIN
(V/V)
Nom.
RF
(
Ω)
Nom.
RG
(
Ω)
Nom.
GDM
(V/V)
Nom.
10
Open
1.000
2
4.99k
2.000
5
8.06k
2.00k
5.030
10
9.09k
1.00k
10.09
100
10.0k
100
101.0
RL
6.34 k
Ω
1k
Ω
1k
Ω
VCM +VDM/2
+
100 nF
VOUT
RF
RG
VM
–
100 nF
VDD
2.2 F
6.34 k
Ω
VREF
VFG
VL
VCM –VDM/2
0.01%
U1
MCP6N11
G
DM
1R
F RG
+
=
V
M
V
OUT
V
REF
–
=
V
OUT
V
REF
G
DM 1gE
+
() V
DM
V
E
+
()
+
=
G
DM 1gE
+
() V
DM
V
E
+
()
=
V
REF
V
DD
G
DMVDM
–
() 2
=
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP6S21-I/MS | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21 |
| MCP6S21-I/SN | 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6S21-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
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