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参数资料
| 型号： | RC28F256P33T85A |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64 |
| 封装： | BGA-64 |
| 文件页数： | 21/96页 |
| 文件大小： | 1378K |
| 代理商： | RC28F256P33T85A |
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Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Datasheet
November 2007
28
Order Number: 314749-05
6.2
DC Voltage Characteristics
IPPW
VPP Program Current
0.05
0.10
0.05
0.10
mA
VPP = VPPL, program in progress
-
822
8
22
VPP = VPPH, program in progress
IPPE
VPP Erase Current
0.05
0.10
0.05
0.10
mA
VPP = VPPL, erase in progress
-
822
8
22
VPP = VPPH, erase in progress
Notes:
1.
All currents are RMS unless noted. Typical values at typical VCC, TC = +25 °C.
2.
ICCS is the average current measured over any 5 ms time interval 5 s after CE# is deasserted.
3.
Sampled, not 100% tested.
4.
ICCES is specified with the device deselected. If device is read while in erase suspend, current is ICCES plus ICCR.
5.
Table 14: DC Voltage Characteristics
Sym
Parameter
CMOS Inputs
(VCCQ = 2.3 V – 3.6 V)
TTL Inputs (1)
(VCCQ = 2.4 V – 3.6 V)
Unit
Test Condition
Notes
Min
Max
Min
Max
VIL
Input Low Voltage
0
0.400.6
V
2
VIH
Input High Voltage
VCCQ – 0.4 V
VCCQ
2.0
VCCQ
V
VOL
Output Low Voltage
-
0.1
-
0.1
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOL = 100 A
-
VOH
Output High Voltage
VCCQ – 0.1
-
VCCQ – 0.1
-
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOH = –100 A
-
VPPLK
VPP Lock-Out Voltage
-
0.4
-
0.4
V
3
VLKO
VCC Lock Voltage
1.5
-
1.5
-
V
-
VLKOQ
VCCQ Lock Voltage
0.9
-
0.9
-
V
-
Notes:
1.
Synchronous read mode is not supported with TTL inputs.
2.
VIL can undershoot to –0.4 V and VIH can overshoot to VCCQ + 0.4 V for durations of 20 ns or less.
3.
VPP ≤ VPPLK inhibits erase and program operations. Do not use VPPL and VPPH outside their valid ranges.
Table 13: DC Current Characteristics (Sheet 2 of 2)
Sym
Parameter
CMOS
Inputs
(VCCQ =
2.3 V - 3.6
V)
TTL Inputs
(VCCQ =
2.4 V - 3.6
V)
Unit
Test Conditions
Notes
Typ
Max
Typ
Max
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