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参数资料
| 型号： | RC28F256P33T85A |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64 |
| 封装： | BGA-64 |
| 文件页数： | 56/96页 |
| 文件大小： | 1378K |
| 代理商： | RC28F256P33T85A |
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Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Datasheet
November 2007
6
Order Number: 314749-05
1.0
Introduction
This document provides information about the Numonyx StrataFlash Embedded
Memory (P33) device and describes its features, operation, and specifications.
P33 is the latest generation of Numonyx StrataFlash memory devices. Offered in
64-Mbit up through 512-Mbit densities, the P33 flash memory device brings reliable,
two-bit-per-cell storage technology to the embedded flash market segment. Benefits
include more density in less space, high-speed interface, lowest cost-per-bit NOR
device, and support for code and data storage. Features include high-performance
synchronous-burst read mode, fast asynchronous access times, low power, flexible
security options, and three industry standard package choices.
P33 product family is manufactured using Intel* 130 nm ETOX VIII process
technology. The P33 product family is also planned on the Numonyx 65nm process
lithography. 65nm AC timing changes are noted in this datasheet, and should be taken
into account for all new designs
1.1
Nomenclature
1.2
Acronyms
3.0 V :
VCC (core) and VCCQ (I/O) voltage range of 2.3 V – 3.6 V
9.0 V :
VPP voltage range of 8.5 V – 9.5 V
Block :
A group of bits, bytes, or words within the flash memory array that erase
simultaneously. The Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33) has two block
sizes: 32 KByte and 128 KByte.
Main block :
An array block that is usually used to store code and/or data. Main blocks are larger
than parameter blocks.
Parameter block :
An array block that may be used to store frequently changing data or small system
parameters that traditionally would be stored in EEPROM.
Top parameter device :
A device with its parameter blocks located at the highest physical address of its
memory map.
Bottom parameter device :
A device with its parameter blocks located at the lowest physical address of its
memory map.
BEFP :
Buffer Enhanced Factory Programming
CUI :
Command User Interface
MLC :
Multi-Level Cell
OTP :
One-Time Programmable
PLR :
Protection Lock Register
PR :
Protection Register
RCR :
Read Configuration Register
RFU :
Reserved for Future Use
SR :
Status Register
WSM :
Write State Machine
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RC28F160C3TC90 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| RC28F160C3BD70 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| RC4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RM4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RC4194D | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RC28F256P33T85B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, KEARNY EBGA 3.0 - Tape and Reel |
| RC28F256P33TFA | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| RC28F256P33TFE | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 64EZBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| RC28F320C3 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| RC28F320C3BA100 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 64BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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