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参数资料
| 型号： | RC28F256P33T85A |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64 |
| 封装： | BGA-64 |
| 文件页数： | 26/96页 |
| 文件大小： | 1378K |
| 代理商： | RC28F256P33T85A |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页
Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Datasheet
November 2007
32
Order Number: 314749-05
Synchronous Specifications(5,6)
R301
tAVCH/L
Address setup to CLK
9
-
ns
1
R302
tVLCH/L
ADV# low setup to CLK
9
-
ns
R303
tELCH/L
CE# low setup to CLK
9
-
ns
R304
tCHQV / tCLQV CLK to output valid
-
17
ns
R305
tCHQX
Output hold from CLK
3
-
ns
1,7
R306
tCHAX
Address hold from CLK
10
-
ns
1,4,7
R307
tCHTV
CLK to WAIT valid
-
17
ns
1,7
R311
tCHVL
CLK Valid to ADV# Setup
3
-
ns
1
R312
tCHTX
WAIT Hold from CLK
3
-
ns
1,7
Notes:
1.
See
Figure 12, “AC Input/Output Reference Waveform” on page 29 for timing measurements and
max allowable input slew rate.
2.
OE# may be delayed by up to tELQV – tGLQV after CE#’s falling edge without impact to tELQV.
3.
Sampled, not 100% tested.
4.
Address hold in synchronous burst read mode is tCHAX or tVHAX, whichever timing specification is satisfied first.
5.
Please see the latest P33 Spec Update for synchronous busrt operation on TSOP packages.
6.
Synchronous burst read mode is not supported with TTL level inputs.
7.
Applies only to subsequent synchronous reads.
Table 17: AC Read Specifications - 130nm (Sheet 3 of 3)
Num
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Notes
Table 18: AC Read Specification differences for 65nm
Num
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Notes
Asynchronous Specifications
R1
tAVAV
Read cycle time
95
-ns
2
TSOP
105
ns
2
R2
tAVQV
Address to output valid
-
95
ns
2
TSOP
105
ns
2
R3
tELQV
CE# low to output valid
-
95
ns
2
TSOP
105
ns
2
R103
tVLQV
ADV# low to output valid
-
95
ns
1,2
TSOP
105
ns
2
Notes:
1.
See
Figure 12, “AC Input/Output Reference Waveform” on page 29 for timing measurements and
max allowable input slew rate.
2.
This is the recommended specification for all new designs supporting both 130nm and 65nm lithos, or for new designs
that will use the 65nm lithography. All other timings not listed here remain the same as referenced by
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RC28F160C3TC90 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| RC28F160C3BD70 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| RC4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RM4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RC4194D | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RC28F256P33T85B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, KEARNY EBGA 3.0 - Tape and Reel |
| RC28F256P33TFA | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| RC28F256P33TFE | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 64EZBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| RC28F320C3 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| RC28F320C3BA100 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 64BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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