参数资料
型号: DSP56301VF100
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 60/124页
文件大小: 0K
描述: IC DSP 24BIT FIXED-POINT 252-BGA
产品变化通告: DSP56301 Discontinuation 12/Nov/2009
标准包装: 60
系列: DSP563xx
类型: 定点
接口: 主机接口,SSI,SCI
时钟速率: 100MHz
非易失内存: ROM(9 kB)
芯片上RAM: 24kB
电压 - 输入/输出: 3.30V
电压 - 核心: 3.30V
工作温度: -40°C ~ 100°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 252-BGA
供应商设备封装: 252-MAPBGA(21x21)
包装: 托盘
DSP56301 Technical Data, Rev. 10
2-14
Freescale Semiconductor
Specifications
115
Address valid to RD
assertion
0.5
× TC 4.0
2.3
1.0
ns
116
RD assertion pulse width
(WS + 0.25)
× TC 4.0
11.6
8.5
ns
117
RD deassertion to address
not valid
0.25
× TC 2.0 [1 ≤ WS ≤ 3]
1.25
× TC 2.0 [4 ≤ WS ≤ 7]
2.25
× TC 2.0 [WS ≥ 8]
1.1
13.6
26.1
0.5
10.5
20.5
ns
118
TA setup before RD or WR
deassertion4
0.25
× TC + 2.0
5.1
4.5
ns
119
TA hold after RD or WR
deassertion
0—
0
ns
Notes:
1.
WS is the number of wait states specified in the BCR.
2.
Timings 100, 107 are guaranteed by design, not tested.
3.
All timings for 100 MHz are measured from 0.5 Vcc to 0.5 Vcc
4.
Timing 118 is relative to the deassertion edge of RD or WR even if TA remains active.
5.
Timings 110, 111, and 112, are not helpful and are not specified for 100 MHz.
6.
VCC = 3.3 V ± 0.3 V; TJ = –40°C to +100°C, CL = 50 pF
Figure 2-12.
SRAM Read Access
Table 2-8.
SRAM Read and Write Accesses3,6 (Continued)
No.
Characteristics
Symbol
Expression1
80 MHz
100 MHz
Unit
Min
Max
Min
Max
A[0–23]
RD
WR
D[0–23]
AA[0–3]
105
106
113
104
116
117
100
TA
118
Data
In
119
Note: Address lines A[0–23] hold their state after a
read or write operation. AA[0–3] do not hold their
state after a read or write operation.
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