- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299522 > MT18HTF12872G-40EC2 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA240 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT18HTF12872G-40EC2 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA240 |
| 封装： | DIMM-240 |
| 文件页数： | 16/36页 |
| 文件大小： | 672K |
| 代理商： | MT18HTF12872G-40EC2 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
512MB, 1GB, 2GB (x72, REGISTERED)
PC2-3200, PC2-4300, 240-Pin DDR2 SDRAM DIMM
09005aef80e5e626
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
HTF18C64_128_256x72G_A.fm - Rev. A 9/03 EN
23
2003 Micron Technology. Inc.
Table 17:
Capacitance
Parameters are sampled; Vdd = +1.8V ±0.1V, VDDQ = +1.8V ±0.1V, VREF = VSS, f = 100 MHz, 0°C
TOPR +55°C, VOUT (DC) =
VDDQ/2, VOUT (peak to peak) = 0.1V
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
Input Capacitance: CK, CK# (PLL Inputs)
CI1
2.0
3.0
pF
Input Capacitance: BA0, BA1, BA2, A0–A13, S#, RAS#, CAS#, WE#,
CKE, ODT (Registered Buffer Inputs)
CI2
2.0
3.0
pF
Input/Output Capacitance: DQ, DQS
CIO
2.5
4.0
pF
Table 18:
AC Operating Conditions
TOPR +55°C; VDDQ = +1.8V ±0.1V, VDD = +1.8V ±0.1V
AC CHARACTERISTICS
-53E
-40E
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS NOTES
Cloc
k
Clock cycle time
CL = 4
tCK (4)
3,750
8,000
5,000
8,000
ps
CL = 3
tCK (3)
5,000
8,000
–
ps
CK high-level width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
CK low-level width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
Half clock period
tHP
MIN
(tCH, tCL)
MIN (tCH,
tCL)
ps
Clock jitter
tJIT
TBD
ps
Da
ta
DQ output access time from CK/CK#
tAC
-500
+500
-600
+600
ps
Data-out high-impedance window from CK/
CK#
tHZ
tAC MAX
ps
Data-out low-impedance window from CK/
CK#
tLZ
tAC MIN tAC MAX tAC MIN tAC MAX
ps
DQ input setup time relative to DQS
tDS
100
150
ps
DQ input hold time relative to DQS
tDH
225
275
ps
DQ input pulse width (for each input)
tDIPW
0.35
tCK
Data hold skew factor
tQHS
400
450
ps
DQ–DQS hold, DQS to first DQ to go
nonvalid, per access
tQH
tHP -tQHS
ps
Data valid output window (DVW)
tDVW
tQH -
tDQSQ
tQH -
tDQSQ
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT18HVF6472PY-53EXX | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
| MT28C128532W30DFW-F706P85BBWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| MT28C128564W30DBW-F706P85KBTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| MT28C128532W30EFW-F705-P856KBBWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| MT28C128532W18EFW-F605-P706BTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT18HTF12872JDY-667F1D4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1GB 128MX72 DDR2 SDRAM MODULE COMMERCIAL PBF DIMM 1.8V FULLY - Bulk |
| MT18HTF12872M2DY-667F1B4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1GB 128MX72 DDR2 SDRAM MODULE PBF DIMM 1.8V FULLY BUFFERED - Trays |
| MT18HTF12872M2DY-667F1B5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1GB 128MX72 DDR2 SDRAM MODULE CUSTOM 1.8V FULLY BUFFERED - Trays |
| MT18HTF12872M2Y-53EF1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1GB 128MX72 DDR2 SDRAM MODULE COMMERCIAL CUSTOM 1.8V REGISTE - Bulk |
| MT18HTF12872M3Y-53EF1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1GB 128MX72 DDR2 SDRAM MODULE COMMERCIAL CUSTOM 1.8V REGISTE - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。