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参数资料
| 型号： | MT42L192M32D3LE-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 15/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 6G（192M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
I DD Specifications
Table 6: I DD6 Partial-Array Self Refresh Current
V DD2 , V DDQ , V DDCA = 1.14–1.30V; V DD1 = 1.70–1.95V
PASR
Full array
1/2 array
1/4 array
1/8 array
Supply
V DD1
V DD2
V DDi
V DD1
V DD2
V DDi
V DD1
V DD2
V DDi
V DD1
V DD2
V DDi
Value
1200
2500
75
1000
2000
75
900
1700
75
900
1500
75
Unit
μ A
Figure 2: Typical Self-Refresh Current vs. Temperature
3000
Full
2500
Half
Quarter
Eighth
2000
1500
1000
500
0
-40
0
25
30
35
45
50
55
60
65
70
75
80
90
95
100
105
Temperature
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
15
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T75802S166BGG | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 119BGA |
| HSC31DTES | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
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| FMC43DRYN-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
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