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参数资料
| 型号： | MT42L192M32D3LE-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 73/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 6G（192M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
PRECHARGE Command
Figure 52: WRITE Burst with Auto Precharge – WL = 1, BL = 4
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CK#
CK
WL = 1
CA[9:0]
Bankn
col addr
Col addr
Bankn
row addr
Row addr
t WR
t RPpb
CMD
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
ACTIVATE
NOP
DQS#
DQS
DQ
D IN A0
D IN A1
D IN A2
D IN A3
Transitioning data
Table 43: PRECHARGE and Auto Precharge Clarification
From
Command
READ
To Command
PRECHARGE to same bank as READ
Minimum Delay Between Commands
BL/2 + MAX(2, RU( t RTP/ t CK)) - 2
Unit
CLK
Notes
1
BST
PRECHARGE ALL
PRECHARGE to same bank as READ
PRECHARGE ALL
BL/2 + MAX(2,
1
1
RU( t RTP/ t CK))
-2
CLK
CLK
CLK
1
1
1
READ w/AP
PRECHARGE to same bank as READ w/AP
PRECHARGE ALL
BL/2 + MAX(2, RU( t RTP/ t CK)) - 2
BL/2 + MAX(2, RU( t RTP/ t CK)) - 2
CLK
CLK
1, 2
1
ACTIVATE to same bank as READ w/AP
BL/2 + MAX(2,
RU( t RTP/ t CK))
-2+
RU( t RPpb/
CLK
1
t CK)
WRITE or WRITE w/AP (same bank)
WRITE or WRITE w/AP (different bank)
READ or READ w/AP (same bank)
READ or READ w/AP (different bank)
Illegal
RL + BL/2 + RU( t DQSCKmax/ t CK) - WL + 1
Illegal
BL/2
CLK
CLK
CLK
CLK
3
3
3
3
WRITE
PRECHARGE to same bank as WRITE
WL + BL/2 +
RU( t WR/ t CK)
+1
CLK
1
PRECHARGE ALL
WL + BL/2 + RU( t WR/ t CK) + 1
CLK
1
BST
PRECHARGE to same bank as WRITE
PRECHARGE ALL
WL +
WL +
RU( t WR/ t CK)
RU( t WR/ t CK)
+1
+1
CLK
CLK
1
1
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
73
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T75802S166BGG | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 119BGA |
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| FMC43DRYN-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
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