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参数资料
| 型号： | MT42L192M32D3LE-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 2/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 6G（192M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Features
Table 2: Single Channel S4 Configuration Addressing
128 Meg x 16
Figure 3
64 Meg x 32
Figure 3
128 Meg x 32
Figure 4
192 Meg x 32
Figure 6
256 Meg x 32
Figure 9
Architecture
(page 16)
(page 16)
(page 17)
(page 19)
(page 22)
Die configu-
CS0#
16 Meg x 16 x 8
8 Meg x 32 x 8
8 Meg x 32 x 8
16 Meg x 16 x 8
16 Meg x 16 x 8
ration
CS1#
banks
na
banks
na
banks
8 Meg x 32 x 8
banks x 2
8 Meg x 32 x 8
banks x 2
16 Meg x 16 x 8
banks
banks
banks x 2
Row addressing
16K (A[13:0])
16K (A[13:0])
16K (A[13:0])
16K (A[13:0])
16K (A[13:0])
Column ad-
dressing
Number of die
Die per
rank (CS#)
Ranks per
CS0#
CS1#
CS0#
CS1#
1K (A[9:0])
na
1
1
0
1
512 (A[8:0])
na
1
1
0
1
512 (A[8:0])
512 (A[8:0])
2
1
1
2
1K (A[9:0])
512 (A[8:0])
3
2
1
2
1K (A[9:0])
1K (A[9:0])
4
2
2
2
channel 1
Table 3: Dual Channel S4 Configuration Addressing
64 Meg x 64
96 Meg x 64
128 Meg x 64
Architecture
Die configuration
Row addressing
Figure 5 (page 18)
8 Meg x 32 x 8 banks
16K (A[13:0])
Figure 8 (page 21)
8 Meg x 32 x 8 banks
16K (A[13:0])
Figure 7 (page 20)
8 Meg x 32 x 8 banks
16K (A[13:0])
Column
addressing
Number of die
Die per
rank (CS#)
Ranks per
channel 1
CS0#
CS1#
CS0#
CS1#
Channel A
Channel B
512 (A[8:0])
na
2
1
0
1
1
512 (A[8:0])
512 (A[8:0])
3
1
1-chan A, 0-chan B
2
1
512 (A[8:0])
512 (A[8:0])
4
1
1
2
2
Note:
1. A channel is a complete LPDRAM interface, including command/address and data pins.
See Package Block Diagrams (page 16) for descriptions of signal connections and die configurations for each re-
spective architecture.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
2
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PDF描述 |
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