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参数资料
| 型号： | MT42L192M32D3LE-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 69/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 6G（192M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页当前第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
PRECHARGE Command
Table 42: Bank Selection for PRECHARGE by Address Bits
BA2
BA1
BA0
Precharged Bank(s) Precharged Bank(s)
AB (CA4r)
0
0
0
0
0
0
0
0
(CA9r)
0
0
0
0
1
1
1
1
(CA8r)
0
0
1
1
0
0
1
1
(CA7r)
0
1
0
1
0
1
0
1
4-Bank Device
Bank 0 only
Bank 1 only
Bank 2 only
Bank 3 only
Bank 0 only
Bank 1 only
Bank 2 only
Bank 3 only
8-Bank Device
Bank 0 only
Bank 1 only
Bank 2 only
Bank 3 only
Bank 4 only
Bank 5 only
Bank 6 only
Bank 7 only
1
Don’t Care Don’t Care Don’t Care
All banks
All banks
READ Burst Followed by PRECHARGE
For the earliest possible precharge, the PRECHARGE command can be issued BL/2
clock cycles after a READ command. A new bank ACTIVATE command can be issued to
the same bank after the row precharge time ( t RP) has elapsed. A PRECHARGE com-
mand cannot be issued until after t RAS is satisfied.
The minimum READ-to-PRECHARGE time ( t RTP) must also satisfy a minimum analog
time from the rising clock edge that initiates the last 4-bit prefetch of a READ com-
mand. t RTP begins BL/2 - 2 clock cycles after the READ command.
If the burst is truncated by a BST command, the effective BL value is used to calculate
when t RTP begins.
Figure 48: READ Burst Followed by PRECHARGE – RL = 3, BL = 8, RU( t RTP(MIN)/ t CK) = 2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CK#
CK
RL = 3
BL/2
col addr a Col addr a
CA[9:0]
Bank m
Bank m
Bank m
row addr
Row addr
t RTP
t RP
CMD
READ
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
NOP
ACTIVATE
NOP
DQS#
DQS
DQ
D OUT A0
D OUT A1
D OUT A2
D OUT A3
D OUT A4
D OUT A5
D OUT A6
D OUT A7
Transitioning data
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
69
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T75802S166BGG | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 119BGA |
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| FMC43DRYN-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
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