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参数资料
| 型号： | MT42L192M32D3LE-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 81/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 6G（192M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
REFRESH Command
Figure 57: t SRF Definition
Example A 1
CKE
Enter self refresh mode
t REFW
t SRF
Exit self refresh mode
Example B 2
CKE
t REFW
Enter self refresh mode
t SRF
Exit self refresh mode
Example C 3
t SRF
t REFW
CKE
Exit self refresh mode
Example D 4
t SRF1
t REFW
t SRF2
CKE
Enter self refresh mode
Exit self refresh mode
Enter self refresh mode
Exit self refresh mode
Notes:
1.
2.
3.
4.
Time in self refresh mode is fully enclosed in the refresh window ( t REFW).
At self refresh entry.
At self refresh exit.
Several intervals in self refresh during one t REFW interval. In this example, t SRF = t SRF1 +
t SRF2.
Figure 58: All-Bank REFRESH Operation
T0
T1
T2
T3
T4
Tx
Tx + 1
Ty
Ty + 1
CK#
CK
CA[9:0]
AB
t RPab
t RFCab
t RFCab
CMD
PRECHARGE
NOP
NOP
REFab
NOP
REFab
NOP
Valid
NOP
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
81
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T75802S166BGG | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 119BGA |
| HSC31DTES | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
| HMC31DTES | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
| FMC43DRYN-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
| FMC43DRYH-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
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