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参数资料
| 型号： | MT42L192M32D3LE-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 162/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 6G（192M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Data Setup, Hold, and Slew Rate Derating
Figure 104: Tangent Line – t DH for DQ with Respect to Strobe
DQS
DQS#
t DS
t DH
t DS
t DH
V DDQ
V IH(AC)min
Nominal
line
V IH(DC)min
DC to V REF
V REF(DC)
region
Tangent
line
Tangent
line
Typical line
DC to V REF
region
V IL(DC)max
V IL(DC)max
V SSQ
TR
TF
Hold slew rate
falling signal
=
tangent line [V IH(DC)min - V REF(DC) ]
TF
Hold slew rate
rising signal
=
tangent line [V REF(DC) - V IL(DC)max ]
TR
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
162
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T75802S166BGG | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 119BGA |
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| FMC43DRYN-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
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