- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385639 > MT48V2M32LFFC (Micron Technology, Inc.) 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4组同步动态RAM) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT48V2M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4组同步动态RAM) |
| 中文描述： | 为512k × 32 × 4银行2.5V的内存电压（2.5V，512K采样× 32 × 4组同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 32/50页 |
| 文件大小： | 1058K |
| 代理商： | MT48V2M32LFFC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页当前第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页
32
64Mb: x32 SDRAM, 2.5V
BatRam_25V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 2.5V
SDRAM
PRELIMINARY
CAPACITANCE
(Notes appear on page 34)
PA RA METER
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance: All other input-only pins
Input/Output Capacitance: DQs
SY MBOL
C
I
1
C
I
2
C
IO
MIN
2.5
2.5
4.0
MA X
4.0
4.0
5.5
UNITS NOTES
pF
pF
pF
2
2
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
(Notes: 5, 6, 8, 9, 11; notes appear on page 34) 0oC
￡
T
A
￡
+70oC
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
Access time from CLK (pos. edge)
-8
-10
SYMBOL
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
DH
t
DS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
REF
t
RFC
t
RP
t
RRD
t
T
t
WR
MIN
MAX
7
8
22
MIN
MAX
7
8
22
UNITS NOTES
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
–
CL = 3
CL = 2
CL = 1
Address hold time
Address setup time
CLK high-level width
CLK low-level width
Clock cycle time
1
1
2.5
3
3
8
13
25
1
2.5
1
2.5
1
2.5
2.5
3
3
10
13
25
1
2.5
1
2.5
1
2.5
CL = 3
CL = 2
CL = 1
23
23
23
CKE hold time
CKE setup time
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM hold time
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM setup time
Data-in hold time
Data-in setup time
Data-out high-impedance time
CL = 3
CL = 2
CL = 1
7
8
22
7
8
22
10
10
10
Data-out low-impedance time
Data-out hold time
ACTIVE to PRECHARGE command
AUTO REFRESH, ACTIVE command period
ACTIVE to READ or WRITE delay
Refresh period (4,096 rows)
AUTO REFRESH period
PRECHARGE command period
ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command
Transition time
WRITE recovery time
1
1
2.5
48
80
20
2.5
50
100
20
120,000
120,000
64
64
70
20
20
0.3
70
20
20
0.3
1.2
1.2
7
24
Auto-
Precharge
Manual
Precharge
1
t
CK +
7ns
15
1
t
CK +
5ns
15
t
WR
ns
24
Exit SELF REFRESH to ACTIVE command
t
XSR
80
100
ns
20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V4M32LFFC | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT49H16M16 | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT48V32M16S2FG-10 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 SSDRAM PLASTIC 2BOC 2.5V - Trays |
| MT48V32M16S2FG-8 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 512MBIT 2.5V 54FBGA - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。