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参数资料
| 型号： | MT48V2M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4组同步动态RAM) |
| 中文描述： | 为512k × 32 × 4银行2.5V的内存电压（2.5V，512K采样× 32 × 4组同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 42/50页 |
| 文件大小： | 1058K |
| 代理商： | MT48V2M32LFFC |
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42
64Mb: x32 SDRAM, 2.5V
BatRam_25V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 2.5V
SDRAM
PRELIMINARY
ALTERNATING BANK READ ACCESSES
1
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, and the CAS latency = 2.
2. A8 and A9 = “ Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
MIN
2.5
1
2.5
1
2.5
48
68
20
20
20
MAX
MIN
2.5
1
2.5
1
2.5
50
70
20
20
20
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
LZ
t
OH
t
RAS
120,000
120,000
t
RC
t
RCD
t
RP
t
RRD
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
MIN
MAX
7
8
22
MIN
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
1
1
t
AS
2.5
3
3
8
13
25
1
2.5
3
3
10
13
25
1
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
DON’T CARE
UNDEFINED
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
CLK
DQ
A10
tOH
D
OUT
m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ROW
ROW
ROW
tOH
D
OUT
m
+ 3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
D
OUT
m
+ 2
D
OUT
m
+ 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
tOH
D
OUT
b
tAC
tAC
READ
ENABLE AUTO PRECHARGE
ROW
ACTIVE
ROW
BANK 0
BANK 0
BANK 4
BANK 4
BANK 0
CKE
tCKH
tCKS
COLUMN
m
2
COLUMN
b
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
tRP - BANK 0
tRAS - BANK 0
t
RC - BANK 0
tRCD - BANK 0
tRCD - BANK 0
CAS Latency - BANK 0
tRCD - BANK 4
CAS Latency - BANK 4
t
RRD
BA0, BA1
DQM 0-3
A0-A9
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PDF描述 |
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